목차
1. 다양한 노광 기법의 이해
2. 노광 장비의 특징 비교
3. Mask Aligner의 기술적 설계
4. Mask Aligner를 활용한 제조 공정의 흐름
2. 노광 장비의 특징 비교
3. Mask Aligner의 기술적 설계
4. Mask Aligner를 활용한 제조 공정의 흐름
본문내용
시간 동안 비추어 패턴을 웨이퍼에 전사한다. 이때 포토레지스트는 빛에 노출된 부분과 노출되지 않은 부분이 화학적 성질에 따라 서로 다르게 반응하게 된다. 노출이 완료된 후, 웨이퍼는 현상 과정을 거쳐 패턴이 형성된다. 이 과정에서는 노출된 포토레지스트가 제거되거나 남아 있는 성질을 이용하여 원하는 패턴을 얻는다. 결국 이 과정을 통해 웨이퍼 위에 미세한 구조물이 형성되며, 이후 공정과정을 통해 이러한 구조물이 전자 소자나 회로로 발전하게 된다. Mask Aligner는 높은 정밀도와 반복성을 제공하여, 제조 공정의 효율성을 극대화하는 데 기여한다. 이와 같은 Mask Aligner를 활용한 제조 공정은 반도체 산업에서 중요한 역할을 수행하며, 기술 발전에 따라 더욱 정교한 패턴 형성이 가능해지고 있다.
소개글