스위치드 커패시터의 기본에 대하여

소개글

스위치드 커패시터의 기본에 대하여에 대한 보고서 자료입니다.

목차

R1.0 2-위상 비중첩 클럭 발생기

R1.1 펄스 분리 측정

토의

R 2.0 기본 SC 구조

R 2.1 등가 저항

토의

R.2.2 역전류 저항

본문내용

.단자 Z 와 X의 파형
.단자 Z와 Y 의 파형
토의
.단자 B와 D 그리고 단자 D와 E 에서는 제목에서 느낄수 있듯 위상 비중첩 클럭 발생기의 성질을 분명히 보여주고 있다.
.10% 50% 90% 시간 지연에 대해서는 극히 미소한 값이라 오실로스 코프로 측정하기 힘들었다.
.단자 X 와 Z 의 파형에서는 둘다 LOW에서 겹칠때 X 의 파형이 짧은시간 급격히 상승하는 모습을 보인다.
.단자 Y 와 Z 의 파형에서도 마찬가지로 둘다 LOW 인 경우 짧은시간에 파형이 관찰 되었다.
.위의 회로에서는 두개의 신호가 중첩되지 않는 중요한 특성을 갖음을 보았다.
.기본적으로는 NOR 로 구현된 RS 플립 플롭으로 인버터는 증폭에 사용되었다.
.결과에서 보듯이 양의 부분은 증폭 되지 않았다.
.
.
R 2.0 기본 SC 구조
R 2.1 등가 저항
.C1=100pF,,200pF을 사용할 때 fc=10kHz,100kHz,1MHz 에대한 fc,C1,Vs,,DCM의 전압표
C1
F
Vs
DCM전압
100pF
10kHz
+8V
-0.147V
100kHz
+8V
-0.22V
1MHz
+8V
-0.326V
200pF(100pF병렬)
10kHz
+8V
-0.147V
100kHz
+8V
-0.22V
1MHz
+8V
-0.326V
.단자 B와 C에서의 파형
.100kHz와 1MHz 에대한 Rsh를 100,1k 로 했을때 DCM 전압 표
f
Rsh
DCM전압
1MHz
100
-0.124V
1k
-0.125.5V
100kHz
100
-0.211V
1k
-0.219V
토의
.I 대신 DCM 전압을 사용한 이유는 DCM 전압이 OP AMP 의 적분기능과 같은 역할을 하기 때문이다.
.첫번째 표를 통해 같은 캐패시터의 용량에서 Hz를 변화 시켰을때 주파수에 따라 DCM 의 전압이 증가함을 알수 있다.
.단자 B와 C 에서는 C1을 완전히 충전하거나 방전하는 시간동안만 캐패시터에 대한 비례가 적용된다는 것을 알 수있고 그시간은 극히 짧은 시간이다.
.두번째 표에서 Rsh는 100,1K 두개만을 측정하였다.
.두번째 표에서는 같은 주파수에서는 Rsh값이 증가하면 DCM 의 V 값이 미세하게 증가하게 됨을 알 수있다.
.두 실험을 통해 주파수와 캐패시터값 모두에 비례하여 DCM 전압을 제가하거나 증가시킬수 있음을 보았다.
R.2.2 역전류 저항
.Vs=8V 인 fc=100kHz에서 단자 D 로부터 접지에 연결된 DCM 전압
V=-0.134V

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