실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성 예비보고서

본문내용

곡선을 이용하라.
b. 실리콘 다이오드에 대해 식 rac = 26mV / ID(mA) 을 이용하여 ID = 9mA에서 ac resistance를 결정하라.
c. 실리콘 다이오드에 대해 ID = 2mA에서 a와 b단계를 반복하고 결과를 비교하라.
Part 6. Firing Potential
a. 각각의 다이오드 특성으로부터 firing potential(문턱 전압)을 결정하자. 그림 5.5의 대략적인 직선을 제시하라.
Part 7. Temperature Effects(Demonstration) 실리콘 다이오드를 이용하여 그림 5.4의 회로를 재구성하라. VR을 1V로 세팅함으로써 전류가 약 1mA가 되도록 하라
a. 다이도 양단에 걸림 DMM을 voltmeter 섹션에 위치시키고 조교가 열 총으로 다이오드에 열을 가하는 동안 읽혀지는 값을 기록하라. 다이오드에 열을 가함으로 인해 VD에 생기는 영향을 기록하라.
b. 다이오드를 식힌 후 voltmeter 섹션을 저항 R에 위치시켜라. 다이오드에 열을 가함으로 인해 VR에 생기는 영향을 기록하라. ID = VR / R로부터, 열이 가해진 다이오드에 의해 생성되는 다이오드 전류에 영향을 주는 것은 무엇인가?

키워드

실리콘,   게르마늄,   다이오드,   예비보고서