[트랜지스터]FET 의 원리 및 응용

목차

(1) FET의 의미

(2) FET의 동작원리

(3) FET의 종류

(4) FET의 장·단점

(5) 접합형 FET에 흐르는 전류

본문내용

파장을 불러오지는 못했다.
직경이 2-3nm인 p-형과 n-형의 단결정 실리콘 나노와이어를 이용하여 우수한 성능의 FET를 재현성 있게 얻을 수 있다. 나노와이어는 탄소나노튜브와는 달리 합성 과정에서 전자 특성을 쉽게 제어할 수 있다. 실리콘 나노와이어의 고성능 스위칭 특성을 이용하면 민감도를 향상시킬 수 있다. 표면에 물질이 흡착될 때 운반자 농도의 변화가, 박막형 FET는 단지 표면에서만 일어나는데 반해 직경이 나노스케일인 나노와이어에서는 내부에 걸쳐 일어나기 때문에 단일분자 감지가 가능한 수준의 민감도를 보여준다.
일반적인 센서 소자는 고성능 전자효과 나노와이어 트랜지스터에 수용체 그룹이 고정된 형태로 구성된다. 표면에 수용체가 고정된 센서 소자가 단백질과 같은 거대분자가 포함된 용액에 노출되면, 특정 결합에 의하여 표면에 양의 하전이 증가하게 되어 p-형 나오와이어의 전기전도도가 감소하게 된다. 실제로 구현된 실리콘 나노와이어의 센서 소자는 정밀하게 도핑된 p-형 또는 n-형 실리콘을 사용하고, 소스 및 드레인 전극은 외부와 차단시켜 전기적 신호가 실리콘 나노와이어에만 나타나도록 하고 , 마이크로검출 소자를 이용하여 검출용액을 공급하는 구조이다.

키워드

FET,   트랜지스터,   전자회로,   나노재료,   바이오센서