pspice를 이용한 전파정류회로(full wave rectifier) bridge rectifier 회로 구현

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이상적인 직류전압도 아니기 때문에 고정적인 값을 할당할 수 도 없다. 따라서 여기서 정확한 계산은 중요하지 않다고 생각한다. 이 차이가 미비하기 때문에 이 문제에서 역시 150옴에서는 항복영역의 한계에 다다르게 되고 50옴에서는 항복영역이 깨졌다는 것을 예측할 수 있고, 역시 시뮬레이션으로도 확인할 수 있다.사실 확인하기에는 너무나도 차이가 적다.
200옴일때를 보자 이론상으로는
이 되어 Vz는 4.91v가 나온다. 이는 1번문제에서 Vc=11V로 계산해서 풀어서 나온 Vz=4.89V보다 작긴 하지만 거의 차이가 없다.
3.Compare the two results from 1 and 2.
둘다 제너다이오드의 항복영역에서의 동작을 만족시키기에 이상이 없는 회로이다. 하지만 브릿지 정류회로는 전파정류 회로보다 한번더 다이오드 전압강하가 일어나므로 똑같은 피크 전압으로 정류가 되었을때 커패시터와 제너다이오드에 걸리는 전압은 전파정류회로에서보다 약간 낮을 수밖에 없다. 하지만 이 정도의 전압차는 무시할 수 있을 정도이고, 정류회로에 브릿지 정류회로가 더 안좋다는 말은 당연히 아니다. 왜냐하면 그 다이오드의 전압강하를 보상하는 권선수를 좀더 늘리면 되기 때문이다.(사실 전파정류는 권수비가 브릿지 정류보다 2배가 되기 때문에 권선수비에서는 당연히 브릿지 정류회로가 효율이 크다.) 그리고 브릿지 정류회로는 각 다이오드가 맞아야 하는 역전 압의 크기가 전파정류회로에서의 역전 압보다 2배 작기 때문에 다이오드의 안전성 문제에도 훨씬 이득이 된다. 결론적으로 브릿지 정류회로가 전파정류회로보다 더 괜찮은 정류회로가 된다.

키워드

전자회로,   pispice,   정류회로,   fullwave rectifier,   bridge rectifier