목차
1. 전착(electrodeposition)의 원리와 다른 증착 방법들과 비교 하였을 때의 장단점은 무엇인가?
2. 금속 나노선을 전착하기 위해 본 실험에서 사용하는 AAO(Anodized Aluminium Oxide)는 무엇이며, 어떠한 특징을 가지고 있는가?
3. 나노선의 응용분야에 대해 조사하시오.
2. 금속 나노선을 전착하기 위해 본 실험에서 사용하는 AAO(Anodized Aluminium Oxide)는 무엇이며, 어떠한 특징을 가지고 있는가?
3. 나노선의 응용분야에 대해 조사하시오.
본문내용
대해 조사하시오.
Spintronics : 최근 이 분야가 커다란 관심을 불러일으키며 활발히 연구 개발되는 이유는 다가오는 정보화시대에 1 Tb/cm2 초고밀도/대용량 자기 및 광자기 기록매체, 1 Gb/s data rate 고감도 자기기록헤드 등 첨단 정보저장 소재로 활용될 뿐 아니라, 현재의 Si 반도체에 기초한 electronic devices의 속도 및 집적도의 한계를 훨씬 능가하는 MRAM(Magnetic Random Access Memory), 스핀트랜지스터 등 소위 스핀트로닉스(Spintronics)라는 새로운 기술혁명을 가져오며, 나아가 다가오는 나노기술시대에 나노머신 및 나노소자의 핵심물질로 이용될 가능성이 높기 때문이다.
전자스핀의 정보는 매우 긴 거리(~100μm)까지 유지되고 저온에서 약 100ns정도의 스핀이완 시간을 갖는 것으로 밝혀져 하이브리드 소자 및 양자 컴퓨터 응용 가능성에 대해 논의되고 있다. 통상 전자와 같은 미세 기본입자에서 관찰되는 양자투과효과가 102106 스핀자구와 같은 거대시스템에서도 존재하는가의 질문은 나노자성정보매체의 정보저장 수명의 이론적 한계를 밝혀주는 중요한 문제이다. 스핀반전에서 보여주는 거시적 양자투과효과에 관한 연구는 Weil[58]에 의해 저온에서 Ni 입자의 자기 완화 율이 사라지지 않는 실험적 결과에 대해 Bean과 Livingston이 양자 투과 효과에 대한 가능성을 이론적으로 해석하면서 Ziljstra 그룹을 위시한 몇 그룹에서 실험적 연구를 시작하게 되었다. 현재 CNRS Neel 연구소의 Barbara 그룹[59], Barcelona 대학의 Tejada그룹[60] 등이 1530nm 크기의 나노자성체 및 수십 nm 직경의 나노선 시스템에서 스핀역전과정에서 고전적 열 활성화과정(Thermal activation process)에 의한 기여와 양자역학적 투과현상의 존재여부에 관심을 두고 실험연구를 진행하고 있다. Hall effect device와 Spin injection ferromagnetic/semiconductor device등의 연구가 현재 진행되고 있다. 스핀 전자 재료의 기본 구조는 강자성체(ferromagnetic, FM)/사이층(spacer)/강자성체(FM)로 이루어진 접합 구조로서 사이 층에 Cu와 같은 도체, Al2O3과 같은 부도체, Si, GaAs, InAs등의 반도체, Nb, 고온 초전도체 등이 쓰이게 된다.
Spintronics : 최근 이 분야가 커다란 관심을 불러일으키며 활발히 연구 개발되는 이유는 다가오는 정보화시대에 1 Tb/cm2 초고밀도/대용량 자기 및 광자기 기록매체, 1 Gb/s data rate 고감도 자기기록헤드 등 첨단 정보저장 소재로 활용될 뿐 아니라, 현재의 Si 반도체에 기초한 electronic devices의 속도 및 집적도의 한계를 훨씬 능가하는 MRAM(Magnetic Random Access Memory), 스핀트랜지스터 등 소위 스핀트로닉스(Spintronics)라는 새로운 기술혁명을 가져오며, 나아가 다가오는 나노기술시대에 나노머신 및 나노소자의 핵심물질로 이용될 가능성이 높기 때문이다.
전자스핀의 정보는 매우 긴 거리(~100μm)까지 유지되고 저온에서 약 100ns정도의 스핀이완 시간을 갖는 것으로 밝혀져 하이브리드 소자 및 양자 컴퓨터 응용 가능성에 대해 논의되고 있다. 통상 전자와 같은 미세 기본입자에서 관찰되는 양자투과효과가 102106 스핀자구와 같은 거대시스템에서도 존재하는가의 질문은 나노자성정보매체의 정보저장 수명의 이론적 한계를 밝혀주는 중요한 문제이다. 스핀반전에서 보여주는 거시적 양자투과효과에 관한 연구는 Weil[58]에 의해 저온에서 Ni 입자의 자기 완화 율이 사라지지 않는 실험적 결과에 대해 Bean과 Livingston이 양자 투과 효과에 대한 가능성을 이론적으로 해석하면서 Ziljstra 그룹을 위시한 몇 그룹에서 실험적 연구를 시작하게 되었다. 현재 CNRS Neel 연구소의 Barbara 그룹[59], Barcelona 대학의 Tejada그룹[60] 등이 1530nm 크기의 나노자성체 및 수십 nm 직경의 나노선 시스템에서 스핀역전과정에서 고전적 열 활성화과정(Thermal activation process)에 의한 기여와 양자역학적 투과현상의 존재여부에 관심을 두고 실험연구를 진행하고 있다. Hall effect device와 Spin injection ferromagnetic/semiconductor device등의 연구가 현재 진행되고 있다. 스핀 전자 재료의 기본 구조는 강자성체(ferromagnetic, FM)/사이층(spacer)/강자성체(FM)로 이루어진 접합 구조로서 사이 층에 Cu와 같은 도체, Al2O3과 같은 부도체, Si, GaAs, InAs등의 반도체, Nb, 고온 초전도체 등이 쓰이게 된다.
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