목차
1. IR DETECTOR
2. V[vanadium]
3. V2O5
4. VO2계 급변온도 센서의 첨가물에 따른 온도-저항 특성
4-1. 결론
5. 제작과정
6. V1.8W0.2O5 Thin Film 결과
7. REFERENCE
2. V[vanadium]
3. V2O5
4. VO2계 급변온도 센서의 첨가물에 따른 온도-저항 특성
4-1. 결론
5. 제작과정
6. V1.8W0.2O5 Thin Film 결과
7. REFERENCE
본문내용
O5에 0.1 mol% CaO를 첨가하고 500℃에 열처리한 소자가 다른 소자에 비해 가장 우수한 온도-저항 특성을 보였다.
4-1. 결론
X-선 회절 분석 결과, VO2 결정상의 피크를 확인할 수 있었으며, 온도-저항 특성 측정 결과, 0.1 mol% CaO를 함유한 VO2 센서가 가장 좋은 온도-저항 특성을 보였다.
5. 제작과정
6. V1.8W0.2O5 Thin Film 결과
75nm 150nm 220nm
300nm 150nm 300nm
7. REFERENCE
K. S. Yoo, J. M. Kim and H. J. Jung, "Electrical Properties of Semiconducting VO2-based Critical Temperature Sensors,J. Kor. Ceram. Soc., 30 [10], pp. 866~870, 1993.
T. Marutama and Y. Ikuta, "Vanadium dioxide thin films prepared by chemical vapor deposition from vanadium(Ⅲ) acetylacetonate", J. Mater. Sci.28pp. 5073-5078, 1993
J. B. Goodenough and H. Y-P. Hong, "Structures and a Two-Band Model for the System V1-xCrxO2", Phys. Review B,8 [4], pp. 1323-1331, 1973.
위키백과
KISTI 홈페이지
4-1. 결론
X-선 회절 분석 결과, VO2 결정상의 피크를 확인할 수 있었으며, 온도-저항 특성 측정 결과, 0.1 mol% CaO를 함유한 VO2 센서가 가장 좋은 온도-저항 특성을 보였다.
5. 제작과정
6. V1.8W0.2O5 Thin Film 결과
75nm 150nm 220nm
300nm 150nm 300nm
7. REFERENCE
K. S. Yoo, J. M. Kim and H. J. Jung, "Electrical Properties of Semiconducting VO2-based Critical Temperature Sensors,J. Kor. Ceram. Soc., 30 [10], pp. 866~870, 1993.
T. Marutama and Y. Ikuta, "Vanadium dioxide thin films prepared by chemical vapor deposition from vanadium(Ⅲ) acetylacetonate", J. Mater. Sci.28pp. 5073-5078, 1993
J. B. Goodenough and H. Y-P. Hong, "Structures and a Two-Band Model for the System V1-xCrxO2", Phys. Review B,8 [4], pp. 1323-1331, 1973.
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