목차
1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 결과 값 및 계산 값
1) 실험에 사용된 회로도
2) 사용된 저항
3) 실험에 필요한 공식
4) 측정 및 실험 값
4. 고찰
5. 회로도 및 시뮬레이션
2. 실험 목적
3. 결과 값 및 계산 값
1) 실험에 사용된 회로도
2) 사용된 저항
3) 실험에 필요한 공식
4) 측정 및 실험 값
4. 고찰
5. 회로도 및 시뮬레이션
본문내용
- 이미터 바이어스 구성은 단일 또는 양 전원을 사용하여 구성할 수 있다. 특히, 이미터 저항기의 저항에 트랜지스터의 β를 곱한 값이 베이스 저항기의 저항에 비해 크면 이미터 전류는 트랜지스터의 β에 독립적으로 된다. 따라서 만약 우리가 적절하게 설계된 이미터 바이어스 회로에서 트랜지스터를 교환하더라도 와 에서의 변화는 작다.
3) CE 회로에서는 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류가 제어된다 즉, 베이스의 미소 전류에 의해 컬렉터의 대 전류가 제어된다.
β가 얻어지는 바이어스 조건은 다음과 같다.
① 에미터 베이스는 순방향 바이어스이어야 한다.
②컬렉터 베이스는 역방향 바이어스이어야 한다.
4) 베이스 바이어스 전류를 결정하는 바이어스 전압은 베이스와 에미터 사이의 전위차이다. 따라서 β값이 에 영향을 준다..
위의 주의에서도 보듯이이다. 따라서 β=100을 사용했다. 나머지 데이터들은 계산 값과 측정값의 오차가 크게 나지 않았다.
그러나, β값과 β을 구하는 데 필요한 식 의 계산 값과 측정값이 약간 큰 차이를 보이는데 실제로 베이스 쪽으로 흐르는 전자의 흐름 때문이다.(β값의 오차 이유).
5. 회로도 및 시뮬레이션
1. 회로도
2. 시뮬레이션
3) CE 회로에서는 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류가 제어된다 즉, 베이스의 미소 전류에 의해 컬렉터의 대 전류가 제어된다.
β가 얻어지는 바이어스 조건은 다음과 같다.
① 에미터 베이스는 순방향 바이어스이어야 한다.
②컬렉터 베이스는 역방향 바이어스이어야 한다.
4) 베이스 바이어스 전류를 결정하는 바이어스 전압은 베이스와 에미터 사이의 전위차이다. 따라서 β값이 에 영향을 준다..
위의 주의에서도 보듯이이다. 따라서 β=100을 사용했다. 나머지 데이터들은 계산 값과 측정값의 오차가 크게 나지 않았다.
그러나, β값과 β을 구하는 데 필요한 식 의 계산 값과 측정값이 약간 큰 차이를 보이는데 실제로 베이스 쪽으로 흐르는 전자의 흐름 때문이다.(β값의 오차 이유).
5. 회로도 및 시뮬레이션
1. 회로도
2. 시뮬레이션