다이오드 특성 (결과 레포트)

소개글

다이오드 특성 (결과 레포트)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 장비

3. 이론 개요

4. 실험 순서
(1) 다이오드 테스트
(2) 순방향 바이어스 다이오드 특성
(3) 역방향 바이어스
(4) DC 저항
(5) 점화 전위

5. 결론 및 고찰

본문내용

RDC=
VD
=
VD
=
E-VR
ID
IS
IS
e. 아래의 식을 사용하여 Si과 Ge 다이오드의 DC 저항치를 계산하라.
RDC(Si)= (20V-3.3㎷) ÷ 3.72㎁ = (20V - 0.0033V) ÷ 3.72A × (10^9)
5.37GΩ
RDC(Ge)= (20V - 9.72V) ÷ 11.02㎂ = (10.28V) ÷ 11.02A × (10^6)
0.932㏁
(계산치) RDC(Si)= 5.37GΩ
(계산치) RDC(Ge)= 0.932㏁
낮은 ㏀ 범위에서 저항이 직렬로 나타난다면 충분히 큰 저항레벨은 개방회로 볼 수 있는가?
개방회로란 스위치가 열린 상태라는 회로로 즉, 전류가 흐르지 않는 회로를 뜻한다. 저항레벨이 충분히 크면 전류가 0에 가깝게 흐르기 때문에 개방회로로 볼 수 있다.
4) DC 저항
a. 그림 2-5의 Si 곡선을 사용하여 표 2.5에 나타낸 다이오드 전류에서 다이오드 전압을 결정하라. 그 때 각 전류레벨에서 DC저항을 결정하라.
ID(㎃)
VD
RDC
0.2
0.54V
27㏀
1
0.6V
600Ω
5
0.64V
128Ω
10
0.652V
65.2Ω
b. Ge에 대해 순서 a를 반복하고, 표 2.6을 완성하라 (표 2.6은 표 2.5와 같다)
ID(㎃)
VD
RDC
0.2
0.26V
13㏀
1
0.371V
371Ω
5
0.717V
143.4Ω
10
1V
100Ω
c. 다이오드 전류가 증가함에 따라 Si과 Ge의 DC저항에서 어떤 변화가 있는가?
Si와 Ge 둘 다 전류가 증가함에 따라 저항이 증가한다. Si의 경우 전류가 증가함에 따라 저항 값이 Ge 저항 값보다 급격히 줄어든다.
5) AC 저항
a. 식 rd=V/I[식2.2]를 이용하여, 그림2-5의 곡선을 사용한 ID=9㎃에서 Si 다이오드의 AC저항을 결정하라
(계산치) rd= 10.14Ω
b. Si 다이오드에서 식 rd=26㎷/ID(㎃)를 이용하여 ID=9㎃에서 AC저항을 결정하라
(계산치) rd= 2.88Ω
순서 a와 b의 결과를 비교하라.
b번의 계산치보다 a번의 계산치가 2배정도 높게 나왔다.
c. Si 다이오드에서 ID=2㎃로 순서 a를 반복하라
(계산치) rd= 10Ω
d. Si 다이오드에서 ID= 2㎃에서 순서 b를 반복하라. 식 (2.4)를 사용하라.
(계산치) rd= 13Ω
순서 c와 d의 결과를 비교하라
d번의 계산치가 c번의 계산치 보다 높게 나온다.
6) 점화 전위
이론 개요에서 정의한된 것과 같이 다이오드 특성으로부터 각 다이오드의 점화범위 (문턱전압)을 도식적으로 결정하라.
VT(Si)= 0.63V
VT(Ge)= 0.35V
5. 결론 및 고찰
- 역방향이 순방향보다 더 높은 전압이 걸린다.
- 역방향 저항을 0㏀로 판단했지만 0㏀일 경우 옴의 법칙에서 전류가 매우 높게
흐른다. 하지만 역방향에서 전류는 거의 흐르지 않는다.
또한 역방향의 저항 값이 매우 높아 전류가 거의 흐르지 않으므로 스위치
역할을 한다.
∴ 역방향 저항은 0㏀이 아닌 ∞이다.
- 순방향 다이오드의 이상적인 그래프는 Ge다이오드가 Si다이오드보다 y축에
항상 크다.
측정된 그래프는 Ge다이오드와 Si다이오드 그래프의 교차점이 있었으며 증가할수록 Si다이오드 그래프가 y축에 가깝다.
∴이상적인 다이오드와 상용화 다이오드는 차이가 있다.
- ‘∥’의 표시를 OR로 판단하였다.
그러나 병렬 표시라는 것을 알 수 있었다.
또한 병렬회로의 저항 계산법을 알 수 있었다.
- 개방회로는 스위치가 열린 전류가 흐르지 않는 회로이다.
저항이 높으면 전류가 거의 흐르지 않아 개방회로가 된다.
∴ 낮은 ㏀ 범위에서 저항이 직렬로 나타난다면 충분히 큰 저항레벨은 개방회로로
볼 수 있다.

키워드

다이오드,   다이오드 특성 ,   전자회로 실험,   결과 레포트