TR 특성

소개글

TR 특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. Transistor란?

2. Transistor의 종류 및 특성

3. Transistor의 구조와 동작원리

본문내용

접합에 순방향 전압을 가하는 것이 중요하다. 순방향 전압이 가해진 E-B 접합에서는 이미터 쪽에서 많은 전자가 공핍 층을 넘어 확산현상으로 베이스층으로 유입된다. 유입된 전자의 일부분은 베이스층의 다수 반송자인 정공과 재결합하여베이스 전류가 되지만, 대부분의 전자는 베이스 층이 얇기 때문에 확산하는 거리가 짧아 곧 C-B 접합에 도착한다. C-B 접합에 도착한 전자는 공핍 층의전기장에 끌려 컬렉터 층으로 들어가서 컬렉터 단자에 도착한다.러므로 이미터 전자는 베이스를 지나 컬렉터로 흐르고, 그 양은 B-E 접합의 순방향 전압 VBE에 의해 자유롭게 조절할 수 있다.
# Transistor의 증폭작용
이미터에서 유입된 전자 가운데 컬렉터에 도달하는 전자의 비율을 α라 하면 α는 보통 0.99정도로 1에 가까운 값을 갖는다. 또한 베이스와 컬렉터 사이의 전류 증폭률을 β라 하면, β=α/(1-α)로 나타낼 수 있다.
만약 α를 0.99로 하면 β는 약 100이 되어 베이스 전류가 100배로 증폭되어 컬렉터에 흐르게 된다. 또 α를 0.999로 하면 β는 약 1000이 되어 1000배로 증폭된 컬렉터 전류가 흐르게 된다. 이것이 트랜지스터의 증폭작용이다.

키워드

트랜지스터 특성,   TR 특성,   Transistor