습식식각

목차

Wet etching ?
공정의 기본순서
SiO2 식각
Si3N4 식각
Si 식각
Al 식각
GaAs 식각
PSG 식각
Wet etch 의 장단점

본문내용

SiO2 식각

식각 용액은 주로 HF과 NH4F의 혼합액을 사용

화학 반응식은 SiO2 + 4HF ↔ SiF4 + 2H2O

종말점 확인은 산화막의 친수성과 실리콘의 척수성
을 이용하여 현미경으로 물방울 형성을 확인하면 알
수 있다.

Si3N4 식각

식각 용액은 H3PO4(인산)을 이용

마스크로 얇은 SiO2박막을 이용

반응식은 2Si3N4 + 2H3PO4 → 2Si3PO4 + 3H2

식각률은 인산과 물의 비, 온도로 결정

식각중 눈에 띄는 종말점을 찾을수 없어 15분 정도 과다식각을 한다.

키워드

무지개,   반사의 법칙,   물방울,   반도체,   나노,   반도체공학,   공대,   반사