25LPE
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목차

LPE이용과 기원
에피택시란?
LPE
성장법
결함
결론

본문내용

I. LPE 이용 과 기원

화합물반도체 제조공정
이용: 컴펙트 디스크 플레이어용 가시광 레이저, 광통신용 발광, 수광소자.
기원: 1963년 Nelson 이 용융금속용액에서 GaAs 레이저용 과 Ge를 이용한 턴넬 다이오드용 소자 성장 성공 이후 LPE는 새로운 전자 산업용 소자의 요구에 부응하여 급성장

II. 에피택시란?
1) 에피택시(Epitaxy)
기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 얇은 단결정 막을 기르는 기술을 에피택셜 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 한다
이 과정에서 기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는 시드 결정(seed crystal)이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다.
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  • 등록일2012.02.18
  • 저작시기2010.3
  • 파일형식파워포인트(ppt)
  • 자료번호#728333
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