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목차
#. Etching ?
#. Wet etching?
- 기본과정
- SiO2 식각
- Si3N4 식각
- Si 식각
- Al 식각
-GaAs 식각
- Wet etching 장단점
#. Dry etching ?
- 기본과정
- 스퍼터 에칭
- 플라즈마 에칭
- RIE
- Dry etching 장단점
#. Wet etching vs Dry etching
#. Wet etching?
- 기본과정
- SiO2 식각
- Si3N4 식각
- Si 식각
- Al 식각
-GaAs 식각
- Wet etching 장단점
#. Dry etching ?
- 기본과정
- 스퍼터 에칭
- 플라즈마 에칭
- RIE
- Dry etching 장단점
#. Wet etching vs Dry etching
본문내용
Etching (식각)
#. 박막이 형성된 웨이퍼 위의 불필요한 부분을 제거하여 회로 패턴이 드러나도록 하는 과정.
#. 회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질 (습식)이나 반응성 GAS(건식) 를 사용.
#. 결정면에따른 식각 속도에 따라 이방성 식각과 등방성 식각으로 나눌 수 있다.
* 등방성 식각과 이방성 식각
결정면중에 특정한 한면이 다른 면에 비해 매우빠른 식각속도를
나타내는 방향성을 갖는 식각을 이방성(anisotropic) 식각이라 하고,
모든면에서의 식각속도가 일정한 식각을 등방성(isotropic) 식각이라
한다.
#. 박막이 형성된 웨이퍼 위의 불필요한 부분을 제거하여 회로 패턴이 드러나도록 하는 과정.
#. 회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질 (습식)이나 반응성 GAS(건식) 를 사용.
#. 결정면에따른 식각 속도에 따라 이방성 식각과 등방성 식각으로 나눌 수 있다.
* 등방성 식각과 이방성 식각
결정면중에 특정한 한면이 다른 면에 비해 매우빠른 식각속도를
나타내는 방향성을 갖는 식각을 이방성(anisotropic) 식각이라 하고,
모든면에서의 식각속도가 일정한 식각을 등방성(isotropic) 식각이라
한다.