Dry Etching ECR-RIE

목차

1. 식각 공정

2. 건식 식각(Dry Etching)

3. 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching, RIE)

4. ECR(Electron Cyclotron Resonance)

본문내용

Dry EtchingECR-RIE




┃ 식각 공정
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식각 공정은 마스크를 사용하는 선택 식각과 그렇지 않은 전면 식각으로 나룰 수 있다.

1. 선택 식각 : 마스크 사용, 직접 회로 프로세스의 핵심 기술
　　　　　　　초미세 가공 기술

2. 전면 식각 : 웨이퍼 표면의 청정화와 결정 결함의 평가
　a. 웨이퍼 표면의 청정화
　　　　　: 연마나 절삭 등의 기계적 가공으로 생긴 변형층을 제거 or
　　　　　여러 단위 공정 중에 표면의 세정이나 불필요한 막을 제거할 목 적

　b. 결정 결함의 평가




● 식각방법
　　: 건식 방식(Dry Etching) 와 습식방식(Wet Etching)으로 나누어 지며 감광막 제거 공정도 포함한다.

　▶건식 방식(Dry Etching)
　　: 피가공 재료 위에 가스를 공급해 반응을 일으켜서 증기압이 높은 물질 또는 휘발성 물질을 생성시킴으로써 식각하는 방법, 기판 재료와 반응하여 그에 적합한 생성물이 얻어지는 가스를 사용

　-기판 재료 : Si, SiO₂, Si₃N₄ 같은 실리콘 화합물

　-가스 : 실리콘 화합물이기 때문에 불소등 할로겐 원소를 기본으로 하는 가스가 주




┃ 건식 식각(Dry Etching)
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1. 물리적
　- Ion Beam Milling
2. 물리 화학적
　- RIBE
　- CAIBE
　- RIE
　- Magneto Microwave (ECR)
　- PPE
3. 화학적
4.광화학적




┃ 물리화학적
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► 현재, 주요 소자 제조공정에서 사용되는 대분분의 건식 식각장비가 이 부류에 속한다.
► 화학적으로 증강된 물리적 스퍼터링
► 손상에 의해 증강된 화학 반응성
► 화학적 스퍼터링 (즉, 이온충격은 화학반응이 진행될 에너지를 제공) 중 어느 하나, 혹은 혼합적인 요소에 의해 이루어진다.
► 정도의 차이는 있지만, 플라즈마 중에 형성된 이온과 반응성 래디칼의 복합적인 작용에 의해서 이루어진다.

키워드

무지개,   반사의 법칙,   물방울,   반도체,   나노,   반도체공학,   공대,   반사