수소화물 기상 에피택시 (HVPE, Hydride Vapor Phase Epitaxy)

목차

❶ 기상 에피택셜 성장이란?
❷ 수소화물기상에피택시(HVPE)를 이용한 GaAs
❸ HVPE를 이용한 Sapphire 기판위GaN의 성장
❹ 수평형과 수직형 HVPE 시스템(GaN)
❺ 현재의 HVPE

본문내용

수소화물 기상 에피택시
(HVPE, Hydride Vapor Phase Epitaxy)




01

〔단결정 박막의 원료 물질〕➠　　　　　➠〔고온로 내에 도입〕
　　　　　　　　　（기상 에피택셜 성장이란?）
〔　화학 반응 또는 열분해〕➠　　　　　➠〔박막형성〕




02 수소화물기상에피택시(HVPE)를 이용한 GaAs

　≪ 그 림 ≫




02 공정 첫 번째 단계

Carrier Gas인 H₂를
AsCl₃(실온에서 액체)에
도입하여 충분히 함유시킨다.

※ AsCl₃의 양은 항온조의 온도와 수소 가스량으로 제어

2AsCl₃→ 1/2As₄+ 3Cl₂
(AsCl₃의 열분해)

　≪ 그 림 ≫

키워드

무지개,   반사의 법칙,   물방울,   반도체,   나노,   반도체공학,   공대,   반사