10 Dry_etching___ICP-_RIE
닫기
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
  • 16
  • 17
  • 18
  • 19
  • 20
  • 21
  • 22
  • 23
  • 24
  • 25
  • 26
  • 27
  • 28
  • 29
  • 30
  • 31
해당 자료는 10페이지 까지만 미리보기를 제공합니다.
10페이지 이후부터 다운로드 후 확인할 수 있습니다.

목차

습식에칭(review)
건식에칭
ICP- RIE 란?
ICP 원리
RIE 란?
시스템 구성
이방성 식각
ICP- RIE 의 식각 메커니즘

본문내용

Wet etching?

액상의 식각 용액(보통 HF solution)에 웨이퍼를
넣어, 화학적 반응에 의해 표면을 식각해 내는 방법.

단점: 미세 가공이 어려움
식각의 불균일성
감광막의 lift-off
under cut 등등

Dry etching 이란?

일반적으로 플라즈마와 같이 gas를 이용하거나, 이온주입이나 sputtering등과 같이 이온이나 전자를 이용한 식각.

1. 물리적 방법- Sputter Etching
2. 화학적 방법 – Plasma Etching
3. 물리, 화학적 방법- RIE (Reactive Ion Etching)
  • 가격3,000
  • 페이지수31페이지
  • 등록일2012.02.19
  • 저작시기2010.3
  • 파일형식파워포인트(ppt)
  • 자료번호#728352
본 자료는 최근 2주간 다운받은 회원이 없습니다.
청소해
다운로드 장바구니