Dry Etching

목차

Etching(식각)
Etching(식각)의종류
Dry Etching
Plasma
Plasma Etching
Problum!
Sputter Etching
Ion-Beam Etching
RF 스퍼터 식각
RIE (Reactive Ion Etching)
MERIE Type( Magnetically Enhanced RIE)
Dry Etch의 특징

본문내용

Dry Etching




Etching(식각)

　• 박막이 형성된 기판(웨이퍼) 위에 불필요한 부분을 제거해 회로 패턴이 드러나도록 하는 과정.
　• 회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질(습식)이나 반응성 GAS(건식) 를 사용.




Etching(식각)의종류

　- Wet Etching
　　산(acid) 계열의 액상의 화학약품으로 웨이퍼 표면에 불필요한 부분(PR pattern이 없는 부분)을 깎아 내는(녹여 내는) 방식.
　- Dry Etching
　　GAS를 공급해 반응을 일으켜서 증기압이 높은 물질 또는 휘발성 물질을 생성시킴으로써 식각하는 방법.




Dry Etching

　ⅰ) Plasma Etching → chemical
　　［플라즈마가 채워진 공간에 기판을 담그는 방식］

　ⅱ) Sputter Etching → physical
　　［아르곤(Ar)과 같은 가스로 기판 표면에 충격을 가해 불필요한 부분을 깎아내는 방식］

　ⅲ) RIE (Reactive Ion Etching) → chemical/physical
　　［화학적 반응과 물리적 반응을 혼합하여 사용］

키워드

무지개,   반사의 법칙,   물방울,   반도체,   나노,   반도체공학,   공대,   반사