84 화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)

목차

화합물 반도체란?
에피택시 (Epitaxy) 공정이란?
HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy)
LPE (Liquid Phase Epitaxy)

본문내용

에피택시 (Epitaxy) 공정

1.에피택시란?

그리스문자 epi(위에) + taxis(배열) = 에피택셜 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)
기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 얇은 단결정 막을 기르는 기술
기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는 시드 결정(seed crystal) 이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다.

2.에피택시 공정

단결정 실리콘 위에 각종 반도체 관련 재료들을 올려놓기 위해 일종의 얇은 필름으로 실리콘의 표면을 덮는 코팅공정
각 재료들이 특정 위치에 정확히 위치 할 수 있도록 하는 기초공사
결정 성장 속도가 초크랄스키법 속도의 1/1000.
두께가 수 ㎛ 정도인 소자용 결정층의 제작에 이용
기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해짐

키워드

무지개,   반사의 법칙,   물방울,   반도체,   나노,   반도체공학,   공대,   반사