BJT 특성_예비

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본문내용

0)
회로를 구성하고 를 1.5V, 를 3V로 조정한다. 스위치 과 를 열고 저항 양단의 전압을
0V에 맞춘다. 과 는 전류계를 보호하기 위해 가장 높은 범위로 한다. 전류게의 지시범위는 전원이 가해지고 난 후 선택한다.
2. 전원을 가하고 회로의 동작 상태를 검사하기 위해 와 의 낮은 값이 얻어질 때까지 를 조정한다. 이때 전류계 이 10uA를 나타내도록 를 조정한다.
3. 를 0V로 조정한다. 이때 전압계 는 0을 나타내어야한다. 값을 측정하여 표에 기록한다.
4. 를 조정하여 각각의 를 얻는다. 각 의 값에 따른 값을 관찰하고 표에 기록한다.
5. 전원을 차단하고 표의 데이터로부터 KSC 900의 에미터 공통 구성에 대한 컬렉터 특성 곡선을 그린다. 를 수평축으로, 를 수직축으로 잡는다.
4. 예상결론
▶ 트랜지스터는 걸리는 전압에 의해 스위칭 되는 FET와는 반대로 흐르는 전류에 의해 스위칭되는 소자이다. BJT는 소수캐리어확산 거리에 비해 상당히 좁은 영역을 사이에 둔 세 개의 엇갈리게 도핑된 영역을 가지는 반도체이다. 이고 = 10uA라고 하더라도 가 흐를수 있게 최소한의 를 인가해주지 않으면 = 0A가 된다. 가 증가할수록 도 증가하는 포화(Sturation)구간이 있다가 를 계속 증가시켜도 는 일정한 값을 유지하는 활성(Forward Active)구간이 있다. 이때 관계가 성립한다.가 증가할수록 는 경향이 보일 것이다. 그리고 BJT의 허용전력이 있으므로 실험시 너무 많은 전류가 흐르게 하지 않도록 주의 한다. 실험을 다 했을 때 아래와 같은 콜렉터 전류 특성 그래프가 그려질 것이다.

키워드

BJT,   트랜지스터 ,   실험,   BJT 특성_예비