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결과가 나온거 같다.
마지막으로 세 번째 실험이 가장 흥미로운 실험이었는데 용질은 수용액에서 이온화하지 않으므로 종류는 다르지만 용액에서의 몰농도는 모두 같다. 즉, 세 번째 실험은 막의 특성(선택적 투과성)을 알아보는 실험인 것
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결과 값을 얻을 수 있었다. 슬루율을 계산 할 때 출력 전압이 상승하는 구간과 하강하는 구간의 기울기가 약간 차이를 보였는데 실험에서는 상승하는 구간의 슬루율을 측정 하였다.
3. 결론
이번 실험을 통해서 연산 증폭기가 이상적인 특성과
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(단점).
트랜지스터 구조
.두 개의 PN 접합으로 나누어지는 도핑된 3개의 반도체 영역으로 구성되어 있다.
.에미터(Emitter) > 컬렉터(Collector) > 베이스(Base)
[불순물의 농도] 1. 실험목적
2. 실험 방법
3. 실험 기기
4. 회로도
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컬렉터 판별법!!
저항계를 X1000 범위에두고 나머지 두핀의 저항값을 번갈아 측정하여 순방향 지시 상태로 했을때 NPN형이면 적색 리드봉이 닿은 쪽이 컬렉터 전극이며, PNP형이면 흑색 리드봉이 닿은 핀이 컬렉터 1. 실험 목적
2. 관련 이
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실험 결과에서 제시한 표가 우리 조에서 실험한 결과값이었다. 1. 실험제목………………………………………3
2. 실험목적………………………………………3
3. 실험장치………………………………………3
4. 실험 결과………………
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실험목적:.
OP-amp의 특성과 동작 원리에 대해 살펴보고, 이를 이용하여 Add circuit,
Subtract circuit, Instrumentation amplifier를 설계해 본다
3. 실험장치:
- Function generator, Oscilloscope
- Breadboard, Jumping wire
- OP-amp
- 저항
4. 실험결과
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바이어스를 인가하여야 제대로 측정이 된다. < JFET 특성 >
1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론개요
4. 실험순서
5. 실험 결론
6. 토의 및 고찰
< JFET 바이어스 회로 >
1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론개요
4. 실험 결론
5. 토의 및 고찰
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실험 종합
이번 실험은 CMOS 회로의 전기적 특성을 알아보는 시간이었다. 3년 만에 만지는 오실로스코프에 긴장하기도 하였지만, 예비보고서를 준비할 때 오실로스코프에 대한 조사를 하고가니 한결 쉽게 해결 할 수 있었다. 실험1번에서 미세
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있었다. 실험 중 초반에 트랜지스터의 핀 배치도를 몰라 헤맸었는데, 미리 숙지하고 실험을 하면 더 빠르게 실험을 할 수 있었을 것이다. 동작 영역에 관련된 실험에서는 예상했던 결과와 거의 비슷한 결과값을 얻어서 실험을 순조롭게 진행
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실험에서는 에 따른 를 확인하였습니다. 실험 결과로는 가 증가됨에 따라 의 값도 조금씩 증가하는 것으로 이론과 유사한 결과를 확인할 수 있었습니다. 또한 순방향에서의 Early 전압인 VAF를 식 을 이용하여 구할 수 있었습니다.
세 번째 실험
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