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전도도가 감소하는 반면, 반도체의 경우 이완시간이 줄어드는 것 이상으로 전자밀도가 크게 증가하므로 전기전도도가 증가하는 것을 알 수 있었다.
5. 참고문헌
- 경희대학교 고체물리 실험보고서 -‘반도체의 전기전도도의 온도의존성 측정
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다이아몬드 내의 전자에 적어도 6eV의 부가적인 에너지를 제공해야 한다. 가전자들은 실온에서는 그 간격을 뛰어 올라갈 수 있는 충분한 열 에너지가 없다. 이처럼 전기의 전도도가 나쁜 절연체를 부도체라 한다. 닐스 보어와 고전 양자론
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(Lorentz Force) 6
1.13 자기장 속에서 전자가 받는 힘 7
1.14 홀 효과 (Hall Effect) 9
Ⅲ. 응용분야 11
1.1 홀 센서 ( Hall Senser ) 11
1.2 Hall Effect and Magnetoresistance 11
1.3 고유 이동도(Intrinsic Mobility) 14
1.4 Hall 계수와 Hall 이동도 측정법 14
Ⅳ. 참고자료 15
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실험제목 : 결정의 전기 전도도
실험목적 : 결정(금속, 반도체)의 온도에 따른 전기 전도도의 변화를 측정하고 이론적으로 고찰한다.
이 론
금속과 반도체의 온도에 따른 전기 전도도의 변화
0K에서는 Si와 Ge와 같은 고유반도체의 가전띠는 완
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전하를 기억하는 것이 중요하다.
6. 비고
1) 전기전도도 : 분석화학 - 최규원 -
2) 해리 : 일반화학 과학의 핵심 - 녹문당 - BROWN, LeMAY, BURSTEN 1. 실험 내 온도 및 기압
2. 실험 장치 도시
3. 실험 결과
4. Error&Cause
5. Discussion
6. 비고
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전기화학식 구조 및 원리
②전기화학식 가스센서의 특성
③전기화학식 가스센서의 식
5. 고체 전해질 가스센서
①고체 전해질 가스센서란
②고체 전해질 가스센서의 구조 및 원리
③고체 전해질 가스센서의 식
6. 각종 반도체식
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단위시간에 방출되는 에너지는 다음과 같다. Ⅰ. 개요 (Introduction)
Ⅱ. 이론 (Theory)
Ⅲ. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
Ⅳ. 데이터 및 결과 (Data & Results)
Ⅴ. 오차분석 (Error Analysis)
Ⅵ. 토의 (Discussion)
Ⅶ. 참고문헌 (References)
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고체이미지 센서의 사용법, 전기전자계
이정우(2010), 고체사료발효배양기 개발, KISTI, 영진전문대학 산학협력단
조윤호 외 2명(2008), 판형 고체내 탄성파동의 산란해석, 대한기계학회
전남대학교 물리학교실(1992), “물리학”, 전남대학교 출
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측정하기
5. 생산 현장에의 활용
6. 빛 차단 경보회로
7. 출력회로를 SSR 방식으로 변경
* 연구과제
1) 광전효과에 대하여 설명하시오.
■ 광전 효과
★ 흡수체 및 방출된 전자의 상태에 의한 분류
2. 포토다이오드와 포토트랜지스터의 동
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반도체 물리학
① 3 극 진공관 : 증폭, 발진(LC 진동) , 검파작용, 변조작용(AM,FM)
진공관의 plate 는 트랜지스터의 콜랙터(C) 에 해당.
G 는 전자의 흐름 조절
P 형 반도체( O 생김): 4가, Ge, Si 에 3가의 Al, Ga 소량 첨가.
N 형 반도체( + 생김): 4가, Ge, Si
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