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STOP 하여 값을 읽는 과정에서 약간의 오차가 생겼을 것이다. 1. 관련 이론(Theoretical Background)
2. 결론 및 Discussion
3. References
RLC회로의 과도 상태 특성,기초회로실험,한양대에리카,기초회로실험 에리카,과도상태,RLC 과도상태,RLC 과도
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회로도를 가지고 시뮬레이션 한다.
미분회로
적분회로
◈참 고 문 헌◈
http://www.eleparts.co.kr/html/p_index/cap.html 캐패시티에관한 내용
http://user.chollian.net/~kimjh94/junja/junja_7/junja7-2.html
Pspice 와 함께하는 기초전자 전기공학실험 홍순관 박진홍 이영석
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항값은 직병렬 회로 공식을 적용하여 단자에 걸리는 값을 계산할 수 있다.
출처 : 교재 본문, 기초전기전자실험(김상배 저, 2009),
네이버백과(http://100.naver.com) ‘테브난의 정리’
< 참 고 문 헌 >
기초전기전자시험 / 김상배 저 / 흥릉과학출
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RL 양단의 전압을 측정하라.
4. 참고문헌
-기초전자공학실험 (김용연,외 양서각, 1999)
-최신기초전기전자실험 (김지홍외 , 동일출판사 ,1995)
-전기전자 기초 실습 (안전관리연구회, 신광문화사, 1999)
-전자 실험 (최동선외 5명, 광명출판사, 1999)
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실험한 전압분할 회로에 부하를 추가하면 전압 뿐만 아니라 회로에 흐르는 전류에 변동이 생긴다는 것을 알게 되었다. 그래서 부하에 무관하게 일정한 전압을 공급할 수 있는 이상 전압원이 필요하다는 교과서의 내용을 깨닫게 되었다. 교과
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실험 목적
2. 실험 순서
3. 실험에 사용된 원리 정리
1) 저역 통과 필터 (low pass filter)
2) 고역 통과 필터 (high pass filter)
3) RL회로의 고역/저역 통과 필터
4) 시정수
4. 실험 결과
1) 직렬 병렬 커패시터와 시정수 구하기
2) 인덕터
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RL=∞의 값을 VL에는 RL=100k의 값을 사용을 하였다. 하지만, 표에서 VS=0V 의 경우에서 내부 저항 값이 -18.2917로 0에 수렴하지 않는 값을 보였는데, 그 이유는 실험을 함에 있어서 RL=∞의 값을 측정 할 때, 보이는 값 중 낮은 값을 적게 되어서이다.
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회로의 임피던스를 구하는 다른 방법
이 각도는 R과 Z의 위상각이다.
또 R을 Z로 나누면 코사인값을 구할 수 있다.
를 이용, Z를 구할 수 있다.
3. 실험 준비물
기기
■ DMM
■ 함수발생기
저항
■ 2k , 1/2-W 5% 1개
캐패시터
■ 0.022uF 1개
인덕터
■
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기초전기전자공학실험 / 대한전자공학회 / 2006년 / 공학사 / 실험31. OP Amp 특성 실험
6. 시뮬레이션
실험 책 page 117 에 그림 8.4
을 구하기 위한 회로 을 구하기 위한 회로 1.실험목적
2.이론
3.사용기기 및 부품
4.실험
5.참고자료
6.시뮬레이
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인덕터가 커패시터의 특성을 나타내게 하기 때문이다. [P 77 2-2 인덕터 7번째 줄]
▶ 등가회로와는 크게 다른것 같다.
5.3 실험이 잘 되었다고 생각하는가? 이 실험을 통하여 무엇을 배웠는가?
▶ 일단 고주파 영역에서는 인덕터가 커패시터로 작
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