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계기는 금방 눈으로 ±0.1V 정도의 변 화를 느낄수 있지만 디지털의 경우 0.900V ~ 1.100V 이렇게 움직이므로 또다른 계산을 해야만 ±0.1V 변화를 느낄 수 있게된다는 것이다. 마지막으로 싸다는 것이 다. 실험목적
이론적배경
결과
실험 고찰
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실험을 통해 다른 어느 조 보다 접지가 어떠한 영향을 미치는 지에대해서 잘 알게 되었다. 처음에 교수님께서 실험을 보여주셨던 조의 자리는 콘센트에 따로 접지를 시키지 않아도 콘센트 간에 이어져 있지 않는지 이상적인 결과 값이 나왔고
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초가 다르게 나올수 있다는 것도 알수 있었다. 정확한 값을 구하려면 반복해서 실험하여 근사치를 구하는게 최선이라는 것을 알수있었다. 1.사용 장비 및 부품
2. 실험 방법 및 결과
-실험 1 저항
-실험 2 커패시터
3.결론
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실험(4)에서 직뮤로드 측정 전압이 일정하게 높은 값이 나왔는데 이는 멀티미터에서 일정하게 발생한 오차의 원인 신호모델 및 해석
1. 실험의 목적
2. 실험 준비물
3. 기초 이론
4. 실험 진행
5. 실험예상
6. 실험 결과 및 분석
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회로에서 Vdc를 구할 때는 두 개의 Si 다이오드를 통과 하므로 2VT를 빼야 하는데 처음에 하나의 다이오드의 값만 빼서 실험 결과값이 크게 달라졌었다.
10) 트랜스포머의 2차 전압을 설정하기 위해서는 DMM으로 확인하며 함수 발생기로 1차 전압
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ACM이 0이 되어 CMRR값이 무한대가 되지만 실제로는 그럴 수 없게 되는 것이다. 따라서 이 값이 크면 그만큼 증폭률이 좋은 회로임을 알 수 있다 요약문 1
실험내용 2
실험결과 8
문제점 및 애로사항 16
설계프로젝트 진행사항 16
결론 16
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회로는 두개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로 β의 실효값(β_D)은 각 트랜지스터 값의 곱과 같다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 3
실험방법 및 유의사항 11
참고문헌 11
(별지) 측정 Dat
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실험에 사용할 회로를 삽입하고, 간단한 동작원리에 대하여 설명하고 실험의 전반적인 Procedure를 설명하고 무엇을 측정하여 어떠한 것을 얻고자 하는지를 설명한다. PSPICE 시뮬레이션 결과를 여기에 삽입한다. 여러 개의 회로를 실험했을 경우
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1. 저항과 DC 전류/전압 측정
2. Ohm의 법칙과 저항의 직렬, 병렬
장비를 이용한 저항 전압 전류 측정
옴의 법칙과 저항의 최대허용전압
계산과정 사진 첨부 1. 저항과 DC 전류/전압 측정
2. Ohm의 법칙과 저항의 직렬, 병렬
장비를 이용한 저
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JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도록 바이어스 한다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 1
실험방법 및 유의사항 5
참고문헌 5
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