|
회로가 완성되고 부하저항 RL을 달아서 부하저항에 흐르는 전류와 전압을 구한다.
IL = VTh /(RTh + RL)
= 8V / (4.4Ω+ 2Ω)
= 8V / 6.4Ω
= 1.25 A
VL = IL x RL
= 1.25A x 2Ω
= 2.5 V
3.실험 회로도 및 실험 방법
[실험 1] 저항의 측정
1).제공된 각개의 저항기의
|
|
|
적인 부품일 때의 계산이고 직접 멀티테스터로 측정시의 부품은 약간의 저항이 존재(예를 들면 전선)하기 때문이다.
그림 7-9와 같은 회로에서 전압에 대한 루프 방정식을 세우고 각 저항 10㏀, 6.8㏀에 흐르는 전류를 계산하여라.
각 페루프에
|
|
|
실험을 통해서 모든 회로에서 이루는 전류와 전압 그리고 저항은 옴의 법칙을 따른다는
것을 알 수 있었다. 옴의 법칙은 수식으로는 V = IR , I = V/R , R = V/I 로 나타낼 수
있고 이 수식은 전류의 값은 전압에 비례하고 저항값에 반비례한다는 것
|
|
|
가장 많이 사용된다.
PSPICE 컴퓨터실습
**15-1
-교류결합 다중 증폭기
-교류결합 (증폭단 위치 바뀜)
**15-2
-직류결합 다중 증폭기
-직류결합 (증폭단 위치 바뀜)
**참고문헌
네이버
구글
전자회로 설계 및 실험 교재 1. 이론
**기초적 이론
|
|
|
\"된 순간부터 리드 모드로 동작이 시작되고, 데이터는 어드레스가 셋 되면서부터 tacc후, *EC에서부터 tec후, *OE에서 셋후, D7-D0로 읽어 내지만, 일반적으로는 tce 또는 toe 중 최대값을 액세스 타입으로 설계한다.
- 8 스텐바이 모드(standby mode)
스탠
|
|
|
회로에서만 가능하며, 선형회로라도 전압이나 전류를 계산할 때는 사용 가능하나, 전력은 회로변수인 전압이나 전류의 비선형함수 이므로 각 성분 전분 전역의 합으로 전체 전력을 구할 수는 없다.
▶ 실험방법
5. 실험 방법
(1) 중첩의 원리를
|
|
|
상학당, 2009, pp68-72.
AlexanderSadiku, 『Fundamentals of Electric circuits』4th, McGRAW.hill higher Education, 2009, pp150-151.
네이버 용어사전, 검색어|정합회로, http://terms.naver.com/item.nhn?dirId=215&docId=14926 1. 목적
2. 관련이론
2.1 최대 전력 전달(Maximum Power Transfer)
|
|
|
실험중 V ,V 값을 일정한 시간동안 측정하는게 좀 힘들었다. 220(㎌)커패시터가 없어서 330(㎌)커패시터를 사용해서 예비이론 에 나온 값과 정확한 값을 비교 할수가 없었지만 330(㎌)커패시터로 측정해도 거의 비슷한 값이 나왔다. 1.실험 목
|
|
|
기초를 제공한다. MOSFET의 게이트 전압에 따른 전류 제어 특성은 전력 변환, 신호 증폭 및 디지털 회로 설계 등에서 필수적인 요소다. 실험적 접근을 통해 MOSFET의 전기적 특성을 직접 측정하고 분석함으로써 이론과 실제의 연결고리를 체험할
|
|
|
실험을 통해 얻은 데이터와 특성을 바탕으로 MOSFET의 응용 가능성 및 교훈을 도출할 수 있었다. MOSFET는 현대 전자 회로에서 필수적인 소자로 자리 잡고 있으며, 이해하고 활용하는 것이 전자공학의 기초가 됨을 다시 한번 느꼈다. 이러한 기초
|
|
메뉴펼치기
