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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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System 회로도
3. AVR ISP Programmer 회로도
Ⅳ. 실험
1.Robot부분 TEST---------------------------
1) Robot_Main부분 Test
2) Receive LCD Part TEST
Ⅴ. 결과고찰-------------------------------
Ⅵ. 결론-----------------------------------
Ⅶ. 참고문헌--------------------------------
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