 |
실험을 수행하여 그 결과를 시뮬레이션 결과와 상호 비교 분석하였다. 통상의 능동필터와는 달리 전원전압, 직류단 전압, 그리고 전원전류를 검출하기 위해 두 개의 전압센서와 하나의 전류센서를 사용하고 능동전력필터의 인버터로는 단상
|
|
|
전류 변화 및 등가임피던스를 얻고자 쉽게 구별하는 수식이다. 또한 분석 사항으로는 회로에 흐르는 각 전류와 등가임피던스의 크기를 분석할 것이다.
제 3 장 실험결과분석
3.1 결과분석
[그림 2]은 6층-6층 권선 연결 시 사고전류제한기의 사
|
|
|
제 3 장. 실험 방법 30
제 1 절 기판 및 시약 준비 30
제 2 절 OTS 증착 31
제 3 절 MIS 커패시터의 제작 34
제 4 장. 실험 결과 38
제 1 절 누설전류 특성 38
제 2 절 펜타센 증착 표면 43
제 5 장. 결 론 51
참고문헌 52
Abstract 55
|
|
|
6_Flexible Display (고려대학교 권재홍, 정진
욱, 이영훈, 이원희) 1. 서 론
2. 이 론
1) PDMS (Polydimethylsiloxane)
2) Nano Transfer Printing
3) Decal Tranfer Lithography (DTL)
4) ITO (Indium Tin Oxide)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
5. 결 론
|
|
|
전류에 대한 C프로그램 시뮬레이션과 Matlab/Simulink 시뮬레이션 결과
<그림Ⅲ-5>배터리 SOC에 대한 C프로그램 시뮬레이션과 Matlab/Simulink
시뮬레이션 결과
<그림Ⅲ-6> FCHEV 시뮬레이터의 기준속도와 실제속도 실험 결과
<그림Ⅲ-7> FCHEV 시뮬레이
|
|
|
ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
|
|
|
전류흐름과 공핍층(depletion layer) ........ 10
[그림 2-2] p-n 다이오드의 전류-전압(I-V) 특성 ................. 11
[그림 2-3] LED 기본회로와 밴드이론에 의한 발광현상 .............. 11
[그림 2-4] LED DC current의 증가에 따른 광도(luminous intensity) . 12
[그림 2-5]
|
|
|
전류가 흐르게 된다. 그림과 같은 장치를 이용하여 이온을 모으고 생성된 이온전류를 측정한다. 불꽃 중에서 탄화수소물이 이온화하는 현상은 확실하게 알려져 있지 않지만 생성된 이온의 수는 불꽃 중에서 환원된 탄소수에 비례한다는 것이
|
|
|
실험결과
ML4425 PWM 센서리스 구동 브러시리스 직류 모터 드라이버에 대한 실험 결과를 실험 파형과 나타난 회전수 결과 값을 통해 알아본다. 먼저, <그림 4-6>은 ML4425 PWM 센서리스 구동 브러시리스 직류 모터 드라이버의 회로도를 연결시킨
|
|
|
실험은 전자가 p-type 구역으로 흘러 들어간다는 사실을 입증하긴 했으나 그 전자들이 어디서 오는지는 말해주지 못한다. 그리고 전자 누출에 관한 슈베르트의 이론이 그 결과를 설명해 줄 수 있기는 하지만 다른 식으로 설명해낼 수 있는 여지
|
|
메뉴펼치기
