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측정하여 표 1에 기록하고, 이 전압이 low인지 high인지 판독한다.
(2) 7432 OR 게이트, 7400 NAND 게이트, 7402 NOR 게이트, 7486 XOR 게이트를 이용하여 논리게이트 실험회로 (b), (c), (d), (e)를 구성하고 절차 (1)을 반복하여 표 1를 완성한다.
(3) 7400 NAND 게이
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회로에서 다음의 값을 구하라.
(a) IN = 0.47A (b) RN = 34.6Ω (c) IL = 0.199A
4. 실험 준비물
(1) 전원장치
0-15V 가변 직류전원(regulated) 2개
(2) 측정계기
VOM 2개 또는 DMM
(3) 저항기(5%, ½-W) : 390Ω·560Ω·680Ω·1.2kΩ·1.8kΩ·2.7kΩ·10kΩ·2W 분압기 각 1개
(4) 기
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실험의 경우는 RLC회로에서 각 R, L, C에 걸리는 전압을 측정하여 R, L, C 값을 알아내는 실험이었다. 주파수를 일정하게 유지시키면서 전압을 변화시키고, 그 때 걸리는 전압을 가지고 그래프를 그리고 그 그래프의 기울기를 알아내면 R, L, C 값을
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실험을 통해 전자이론과 주파수와 그 위상을 측정해볼 수 있는 흔치않은 기회를 얻게 되어 감사하게 생각한다. 더 많은 것을 알아가고 얻은 지식이 나중에 유용하게 쓸 수 있기를 기대한다.
전자가 기계에 필요한 이유
요즘 시대에 전자 기술
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실험 6. 인덕턴스의 특성 (결과 레포트)
3. 실 험 과 정
4. 실 험 결 과
(1) 인덕터의 L-R-C 측정
(2) 주파수에 따른 리액턴스의 변화
(3) 인덕턴스의 내부저항
(4) 인덕터 양단의 위상차(오실로스코프 이용)
(5) 직렬 접속 회로
(6) 병렬 접속 회
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실험]
(1) <그림 13-3>의 (a)와 (b) 회로를 차례로 꾸미고 다음의 실험을 순차적으로 수행하라. 는 저주파 발진기의 출력 주파수를 50 [Hz] 에서부터 1 [MHz] 로 변화시키면서 입력 파형의 전압 와 출력파형의 전압 을 측정하고 <표 13-1>과 <
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회로와 블록 도는 그림 11-5와 같다.
3. 실험 기기 및 부품
586급 PC 한 대
FPGA package 1개
Logic tester
oscilloscope
4. 실험 과정
1.다음 그림 11-6과 같이 multiplexer를 구성하시오.
2. 입력 및 선택 선과 Enable을 다음 표 11-1과 같이 가했을 때 출력을 측정하시
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실험 / 대한전자공학회 / 2006년 / 공학사 / 실험31. OP Amp 특성 실험
6. 시뮬레이션
실험 책 page 117 에 그림 8.4
을 구하기 위한 회로 을 구하기 위한 회로 1.실험목적
2.이론
3.사용기기 및 부품
4.실험
5.참고자료
6.시뮬레이션
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실험방법 및 순서 ……………………………………… 92
6. Simulation ……………………………………… 95
7. 실험 결과 ……………………………………… 99
실험 8. Op-Amp 응용 회로 ……………………………………… 102
1. 실험 목적 ……
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회로에서 Q <1 일 때, 공진의 특성이 잘 나타나는 것을 알 수 있는 실험이었다.
실험2 : RLC 직렬공진회로 (Q >1 일 때)
R = 33Ω, C = 1mH, L = 0.1uF
측정값 데이터
구분
측정값
최대값
위상
Vi 측정
3V
0
VR 측정
160mv
0
VL 측정
3v
0
VC 측정
1v
측정되지 않
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