|
트랜지스터를 사용하여 단RP2에서 5까지 반복한다.
결 론
이 실험에서는 콜렉터 귀환 바이어스된 회로에서의 전압과 전류를 확인하였고 더불어 회로에 대한 직류부하선을 그렸다. 목적 및 배경
부품 및 사용기기
유용한 공식
실험절차
|
|
|
않기 때문인 것도 있다. 이번 실험엔 저항을 개별적으로 측정하여 회로와 가장 근사한 값으로 만들었으나 여전히 정확한 저항값 이 아니였다.
○ 그래프 ○ 실험 목적과 목표
○ 회로도
○ 실험 12의 랩뷰 값
○ 결과 및 결론
○ 그래프
|
|
|
2k
3k
4k
5k
6k
7k
8k
9k
10k
Vce
0.027616501
0.037713051
0.045740128
0.053123474
0.060530186
0.068597794
0.078320026
0.092005253
0.119498253
0.594518661
1.569693565
가변저항 에 따른 Vce값 (1k부터 10k 까지 1k씩 증가) 목적 및 배경
부품 및 사용기기
유용한 공식
실험절차
결 론
|
|
|
제어하며 증폭된 신호가 컬렉터(C; collector)로 흐르게 된다.
VOM : Volt Ohm Meter 직류 및 교류 전압(Volt)과 저항(Ohm, 옴) 값을 기본적으로 측정하는 장치
DMM : Digital Multi Meter 목적 및 배경
부품 및 사용기기
실험절차
결 론
용어설명
|
|
|
.
결 론
이 실험에서는 위상편이가 없는 소신호 공통콜렉터 증폭기 또는 이미터폴로워의 동작과 특성을 설명하였다. 여기서 입력신호는 트랜지스터의 베이스단자에 가해지는 반면에 출력신호는 이미터단자에서 얻는다. 이 실험에서는 또한
|
|
|
실험 5장에서의 직류동작점 , 이미터 바이어스 가 참고 자료 였으나 참고를 하려 해도 반도체 물성과 소자, 전자회로 같은 수업을 듣지 않았기 때문에 전체적인 실험의 큰 맥락은 이해가 되질 않았다. 하지만 반도체, 트랜지스터를 구동시키기
|
|
|
12.45 %
2.063 %
○ 결과 및 결론
실험 11-1의 측정값이 오차가 5% 이내로 나와 만족스러운 실험이었다. 그 이하로 줄이지 못했던 이유는 2N3904 트랜지스터 자체가 저항처럼 오차가 많은 소자라는 것이 가장 큰 원인이 였던것 같다. 또한 가변저항을
|
|
|
바이어스회로의 안정도에 있어서의 온도의 영향을 설명하였다.
Pspice 시뮬레이션
전압 값
전류 값
온도가 50℃ 일 때 전류/전압 값 9. 트랜지스터의 베이스 바이어스
목적 및 배경
부품 및 사용기기
유용한공식
실험절차
결 론
|
|
|
0˚ 의 위상차가 있을 뿐 두 출력신호 레벨이 입력 레벨과 같다는 것을 알수 있다.
결 론
이 실험에서는 흔히 위상분기리 도는 양위상 증폭기로 불리우는 공통이미터 증폭기와 이미터폴로워의 복합회로의 동작과 특성을 설명하였다. 이러한 형
|
|
|
이 측정값을 기댓값(식4)과 비교하라.
결 론
이 실험에서는 180˚의 위상차를 갖는 소신호 공통이미터 증폭기의 동작과 특성을 설명하였다. 여기서 입력신호는 트랜지스터의 베이스 단자에 가해지는 반면에 출력신호는 콜렉터 단자로부터 얻는
|
|
메뉴펼치기
