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측정하였다. 원회로에서는 4.142mA가 나왔고 VTH과 RTH의 직렬회로로 꾸민 테브냉 등가 회로에서는 4.064mA이 측정되었다. 이것은 계산치 IL = 4.046mA 과 비슷한 값이었다.
이번 실험을 통해서 테브냉의 등가 회로를 이용하였을 때 복잡한 회로를 간
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회로만으로 LPF를 구성하였는데 LR회로로도 LPF를 구성할 수 있다. LR직렬회로를 구성하고 이때는 L을 출력으로 하지 않고 R을 출력으로 하게 되면 저역대에서 출력이 되는 LPF를 얻을 수 있다. 이것은 정성적으로 생각해보면 L의 저항성분이 이므
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풀이한다.
R1
R2
R4
R3
30V
+
-
V=30[v], R1=1㏀, R2=2㏀, R3=3㏀, R4=1㏀, 10㏀,
실 험 치
계산치
오 차
비 고
1
2
3
4
5
평 균
1㏀
IR4
13.532
13.533
13.533
13.532
13.531
13.532
13.639
-0.107
VR2
5.520
5.519
5.520
5.520
5.510
5.518
5.453
0.065
10㏀
IR4
2.303
2.303
2.302
2.301
2.303
2.302
2.308
-0.006
V
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회로의 합성저항값을 구하시오.
주관식 4. 직렬회로에서 합성저항 값을 구하고 전류값 I를 구하시오.
내신문제연구소
객관식
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③
④
②
②
①
②
⑤
②
④
③
④
④
①
③
④,⑤
④
①
③
①
②
④
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회로 실험에서 각각의 저항에 전압이 일정한 비율로 나누어지는 회로이다.
직렬회로의 전체 저항은 각 저항을 모두 합한 것인데 이번실험에서도 마찬가지로 Rac=Rab+Rbc이다. 저항이 누누어져 전압이 분할되어 있더라도 각각에 걸리는 전압을
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회로의 이론값과 측정치를 비교해 보았을때 실험에서 쓰인 모든 저항의 마지막 색이 금색을 가지고 있어 ±5%의 허용오차를 있어 측정치에 영향을 끼치게 됩니다. 그리하여 이론값과 약간의 차이가 난다
그림 2.2에서 합성저항 RT의 이론값과
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회로에서 스위치를 사용하지 않으려면 저항을 각 과정에 맞도록 회로를 구성하면 된다.
2. 그림 4-5와 같이 다소 복잡한 회로는 리드선을 이용하여 회로를 구성하도록 한다.
3. 전류 : 전류나 전하의 이동을 말하며 정전하가 이동하는 방향을 전
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값이 나온다.
<병렬회로>
테스터기가 존재하지 않아 실험을 할 수 없었다.
6. 결론 및 고찰
<결론>
금속도선에서의 전압과 전류의 측정값에서 그들 사이의 직선적인 비례관계를 나타내는 ohm의 법칙을 기초로 저항과 기전력으로 구성된
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회로(클램프,클리퍼)를 구성해보고, 동작원리를 이해한다.
● Diode를 응용한 회로(전파정류회로)를 구성해보고, 동작원리를 이해한다.
2. 실험결과
1) 실험 1 : Diode의 특성곡선
≪ 표 - 그림 파일 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
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-병렬회로의 총 저항을 구하기 위해 규칙들을 실험적으로 입증해보고 직-병렬회로들을 설계해보는 실험이었다.
기본적인 옴의 법칙과 직-병렬회로의 저항 규칙을 익히 알고 있어서 수월한 실험이 되었다.
조금 난관이었던 것은 브레드보드
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