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t=Q/I 가 된다. RC=Q/I 이므로 t=RC가 되는 시간개념이 나온다. 복잡하지만 간단한 단위들의 이해와 정리를 통해 계산 할 수 있었다.
다음, 회로에 5.6V의 전압을 걸어주고 끊어진 도선을 연결함으로써 축전기의 충전실험을 시작했다. DMM 기기의 숫
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mA
14.92 mA
18.81 mA
100
15.37 mA
0.129 V
119.15
11.45 mA
14.92 mA
18.807 mA
150
15.36 mA
0.132 V
116.36
11.46 mA
14.93 mA
18.821 mA 1.실험목적
2.실험이론
(1) R-L 직렬회로
(2) R-C 직렬회로
3. 사용기기 및 부품
(1) 기기
(2) 부품
4. 실험방법 및 순서
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time constant와 의 값을 각각 측정하시오.
2배인 경우: time constant = 0.02ms 0.5
배인 경우: time constant = 0.005ms 2
[그림 5] [그림 6] [그림 7]
[그림 8] 1. 실험목적
2. 실험이론
3. 기기 및 부품
4. 실험과정 및 예상되는 결과
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실험은 중첩의 원리와 가역정리(상반정리)의 실험이었습니다. 중첩의 원리는 다중독립전원이 존재할 때 그 많은 전원중에서 1개씩 따로따로 회로의 응답을 구하여 전부 더하는 방법을 사용합니다. 그런데 그 1개씩 따로따로 응답을 구하는 과
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회로에 연결된 저항의 크기와 같게 나타남을 확인할 수 있다.
의 Phasor=
커패시터와 다르게 인덕터는 전압의 위상을 45°만큼 leading하고 있다. 따라서 다음 실험을 통하여 커패시터와 인덕터의 특성을 확인할 수 있다.
3. 실험 결론
Oscilloscope를
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회로도 기호
실험에서 그리는 회로도
1) 반전증폭기
2) 멀티바이브레이터
3) BPF(Band-Pass-Filter) 회로
4) 차동증폭기회로
5) MULTIPLY (승산기,곱셈기) 회로
실험 시약 및 기구
Circuit Maker(전자 회로)
실험방법
New, Open, Save, Print ; 새문서, 불러오기, 저
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0.1ms이다.
< 4. 참 고 문 헌 >
- FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008.
- FEEDBACK CONTROL OF DYNAMIC SYSTEMS, F.FRANKLIN, PEARSON PRENTICE HALL, 2010. < 1. 목 적 >
< 2. 이 론 >
< 3. 실험 과정 및 실험 결과 예상 (시뮬레이션) >
< 4. 참 고 문 헌 >
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실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고, 특성을 분석한다.
2. 실험 기자재 및 부품
- D
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주파수가 높아지면 어떠한 현상이 일어날 것인가를 예측하라.
(4) <그림 19.8> 회로에 대해 다음의 입력파형에 대한 FF의 출력 Q[3:0]를 그리고, 출력이 0-9까지 10진수로 증가하도록 나타내어라.(단, MyCad의 ‘시그널 합치기...’를 이용하고, 입력
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회로는 NOT gate의 출력단자를 AND gate로 묶어 줌으로써 open-collector가 아닌 회로를 구성하게 되었다. 따라서 NOT gate와 AND gate에 의한 논리 값이 출력되게 되었다.
◈실험 종합
논리회로 실험을 위한 기본BASIC GATE에 대한 특성을 연구해 봤다. 각 GATE
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