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이다. 즉 접합점을 향해 들어가는 전류의 합과 나오는 전류의 합은 항상 같다.
*제2법칙 - 전압의 법칙
회로에서 가해진 전원전압은 저항3개로 나누어져 소비된다. 즉, 부하는 3개의 저항이 되고 각 저항마다 전압강하가 생길 것이다. 각 저항의
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3) 테브닌 등가회로
① 등가 회로로 고치려고 하는 회로를 본래의 회로망으로부터 떼어 낸다.
② 개방 회로 전압 를 구한다.
③ 회로에 존재하는 모든 독립 전원들을 제거한 다음, 단자에서 회로 쪽으로 들여다본 저항, 즉 를 구한다.
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위상차 확인
위와 같은 회로로 구성
저항과 인덕터로 구성된 회로에서 위상차는 저항과 인덕터의 리액턴스크기에 결정됨.
오실로스코프로 관측
저항 전압과 인덕터 전압은 만큼 위상차를 가짐. 실험사진 (오실로스코프 확인)
실험결과
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그림 7-1와 같이 선형, 쌍방향성, 수동 소자로 된 회로망의 입력단자에 전원을 연결하였을 때, 출력단자에 20mA의 전류가 흐른다고 한다면, 반대로 같은 전원을 그림 7-3과 같이 출력단에 연결하여도 입력단자에는 같은 전류(20mA)가 흐르게 된다.
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사용하여 Si의 DC 저항치를 계산하라.
4) DC저항
5) 점화 전위 1. 사전지식
1) 다이오드 전류
2) 다이오드
2. 실험절차
1) 점화 전위
2) DC저항
3) 역방향 바이어스
4) 순방향 바이어스 다이오드 특성
5) 다이오드 테스트
3. 분석 및 토의
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실험 부품 및 장비
오실로스코프용 전원(1), 오실로스코프(1), 오실로스코프 사용 설명서, 오실로스코프 단자나 책을 연결할 수 있는 도선
5. 참고문헌
1) 인하대 e-class 정보통신기초설계/실습1 강의자료실 실험7. 오실로스코프의 사용법
2) 디지
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회로>
<DC sweep 해석 결과>
<diode 해석을 위한 회로>
<diode i-v 특성>
<트랜지스터 해석을 위한 회로>
<트랜지스터의 전기적 특성>
<secondary sweep 대신 parametric sweep을 이용한 트랜지스터 특성그래프>
실습2. parametric 해석
&l
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A
2.424mA
0.423mA
0.424mA
3. 분석
실험①
- 직렬회로에서 저항 R1, R2, R3 에 걸린 전압은 각각 15.074V, 1.524V, 1.902V인데 전체 전압은 18.513V로써 각저항에 걸린 전압의 합이라는 것을 알 수 있었다.
실험②
- 병렬로 구성된 회로에서 각저항과 저항에 흐르
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실험 - 실험 장비 사용법 및 RLC회로 분석
1. 실험장비 종류 및 사용법
2. RLC 회로 이론 및 분석
2-1. 소자에 대한 이론
2-2. 임피던스와 페이저
2-3. RL회로 분석
2-4. RC회로 분석
2-5. RLC회로 분석
3-1. 실험에 필요한 장비
3-2. 실험에 필요
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실험치 계산값(평균) = 1241
=> Z 이론값 =
4) 위상각
=> 위상각 실험치 계산값(평균) = 0.472
=> 위상각 이론값 =
=> 위상각 오차 =
B. RC 회로
전류(I)
(V)
(V)
(V)
(Ω)
위상각
실험값
이론값
오차
0.50mA
0.55
0.6㎷
0.554
1100
1200
1108
1100
0.0011
0.0020
45
1.
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