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Random Access Memor)
1-2. PRAM (Phase change random assess memory)
1-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory)
1-4. FRAM
1-5. ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron
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실험
5.1 조작부 회로기판
< LCD 부착 전 >
< LCD 부착 후 >
< 조작부 뒷 판 >
[그림 5-1] 조작부 회로기판
5.2 동작부 회로기판
< 동작부 회로기판 앞 >
< 동작부 회로기판 뒤 >
[그림 5-2] 동작부 회로기판 앞뒤
5.3 동작부 몸통(회로
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회로”, 인하대 대학원 (2004) 석사 논문 , 국회도서관 DLL 석사논문 자료실.
<8> 류 영 수, 락킹 상태 표시기를 이용한 지연 고정 루프 기반의 클록 합성기 설계, 부경대 대학원 2006 석사 논문 , 국회도서관 DLL 석사논문 자료실.
<9> 백 동
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