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1. 제목: 실험15. RL 직렬회로의 인덕턴스 측정
2. 실험결과
1) 과정(1) 인덕턴스 L 측정
≪ 그 림 ≫
Figure 15.5 - L 측정회로
Table 15.1 - L 측정회로 VA2=VR2+VL2
≪ 표 ≫
2) 과정(2) 저항(등가 인덕턴스) 측정
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▲ Vo의 파형
2. 아래의 회로에 대하여 실험절차 1을 반복한다.
▲ Vi의 파형 ▲ Vo의 파형
▲ Vi의 파형 ▲ Vo의 파형
▲ Vi의 파형 ▲ Vo의 파형
3. 스위칭용 Si 다이오드(1N5404)와 R=120㏀ 저항, C=0.1㎌ 커패시터를 사용하여 아래의 그림과 같은 회로를
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1. 실험목적
- 다이오드의 한 방향으로만 전류를 흐르게 하는 기본 특성을 이요하여 정류회로들을 구성하고 실험을 통하여 특성을 확인하고자 한다. 또한 정류회로 중 반파 정류회로뿐만 아니라 전파 정류회로 및 브리지 정류회로의 특성도
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1. 실험일자 : 1997년 10월 27일 6～9교시
2. 실험제목 : 실험 #6 저항 회로 및 중첩의 원리
3. 실험목적 : 중첩의 원리를 이해하고 실험을 통해 결과를 고찰한다.
브리지 회로를 구성하여 보고, 각 저항간의 관계를 살펴본다.
4. 실험준비물 : power suppl
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한 소자(C=0.05μF)와 거의 일치하는 것을 실험을 통해 확인할 수 있다.
▶ 능동 저역 통과 필터회로 구성(주파수가 3KHz일때, 전압이득 측정)
PSpice를 통한 능동 저역 통과 필터회로 시뮬레이션
PSpice를 통한 시뮬레이션 차단 주파수 측정 결과
(x축
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실험은 저번에 하였던 ‘OP Amp 의 기본특성’ 실험의 연장으로 좀 더 복잡해진 회로에 대해 직접 만들어보고 가장 자주 사용되는 비반전 증폭기(Non-inverting Amplifier) 와기존의 증폭기와는 다른 특수한 기능을 하는 OP Amp 회로를 만들어보는 실험
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실험 결과
가. 실험1
(1),(2) 단자AB에 대한 Thevenin 전압 VTH와 Thevenin 저항 RTH를 계산/측정하라.
계산된 VTH
:
4 V
계산된 RTH
:
11.33 k
측정된 VTH
:
3.99 V
측정된 RTH
:
11.3 k
를 구하기 위해 부하의 연결을 끊는다. 이 때 회로를 만들면 에는 전류가 흐르지
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회로의 좌측으로부터 합성저항을 구하면,
R1//R2이므로,
R1//R2와 R3는 직렬이므로,
R1//R2+R3와 R4는 병렬이므로,
▲ 오차의 원인은 저항 자체의 오차와 측정시 멀티미터 내부의 저항도 포함되었으리라고 추측된다.
연습문제
1. 실험 1에서 전류계를
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실험을 하였고 따라서 문제점이 그곳에 있었던
것 같은데 실험하는 상황에서 Preset과 Clear에 대해 전혀 생각하지 못했고, 그에 따라
실험 결과가 다르게 나왔다. 하지만, 이번 기회로 틀렸던 회로이기는 하지만 스스로 하
드웨어를 구현해봤
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실험에서도 RL이 RC와 거의 같은 저항을 가질 때 부하저항의 전력이 최대가 되었다.
<표 9.3> 실험 다. 최대 전력 전송을 위한 RL의 조건 실험
1489.9
1487.5
5.08
10
3.4
0.0173
0.034
1487.5
RC는 좌측 회로의 내부저항이므로 687.5 + 330 + 470 = 1487.5 이 나온
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