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회로라면 용량성과 유도성은 위의 설명되로 정반대로 전류의 방향이 만들어지므로 어느 부하의 전류가 큰가에서 큰 쪽의 전류에서 적은 쪽의 전류를 빼고 위상도를 그려 알 수 있다. R-L-C직렬회로에서 공명 주파수를 알아본 실험이었다. 하
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  • 등록일 2013.10.25
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줄어들게 됨을 알수있었고 즉 테브난저항의 존재 그 자체때문에 최대전력전달을 50%로 제 한하는 이유가 된다 1. 실험제목 2. 실험목적 3. 관련이론 4. 결선도 5. 실험기기 및 재료 6. 실험방법 7. 실험결과 8. 검토 및 고찰
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  • 등록일 2015.04.03
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실험방법 및 순서 예비보고서에서 설계한 D/A 변환기를 구현하고, 그 동작을 확인하시오. 예비보고서에서 설계한 S/H 회로를 구현하고, 그 동적을 확인하시오. 예비보고서에서 설계한 A/D 변환기를 구현하고, 그 동작을 확인하시오. 실험 결과
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  • 등록일 2012.09.26
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회로를 완성하고, 등가회로 에 걸리는 전류 의 측정값과 계산 값을 구하고 그 오차를 구하여 표6-5에 기록하라. [표] Norton 정리 이 론 값 3.41mA 2.86mA 2.77mA 0.40mA (9) 표 6-4와 표 6-5를 비교하여 Norton 정리가 성립함을 증명하라. 1. 실험 목적 2. 실
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  • 등록일 2010.01.18
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회로로 놓는다.) 3. 사용 장비 및 부품 직류 전원 공급 장치 함수 발생기 오실로스코프 디지털 멀티 미터 MOSFET : 2N7000TA (1개) 저항 10Ω, 1.8kΩ, 2.2kΩ, 3.3kΩ, 4.7kΩ 등 다수 커패시터 : 1μF (전해, 1개), 2.2μF (전해, 1개), 330μF (전해, 2개) 4. 실험 방
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실험하기 위한 회로를 그림 18.8에 나타냈다. 그림에서 트랜지스터 Q3와 Q4는 저항기 RB와 함께 정전류 전원을 형성한다. 이 회로에서 RB = 33 KΩ, RC1= RC2 = 20KΩ, VCC=-VEE=15V 이고 트랜지스터의 β=150이다. 증폭기의 바이어스 전류 IEE를 구하라.(단,
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  • 등록일 2012.11.04
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회로의 자연 응답 -이상적인 저항, 인덕터 및 커패시터를 직렬로 접속한 회로의 자연응답을 알아본다. <중 략> 처음에 시도한 100옴, 200옴의 경우 오차율이 다른 실험에 비해 컸는데, 그 이유에 대해서는 함수발생기를 회로에 연결하
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  • 등록일 2020.11.30
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실험은 임피던스 브리지를 이용하여 인덕턴스, 커패시턴스를 측정하여 원리를 이해하고, 그 방법을 익히는 실험이었다. 실험은 직렬형, 병렬형 비교 브리지와 맥스웰-빈 브리지 실험을 하였고, 헤이브리지는 실험 하지 못했다. 검류계가 없어
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  • 등록일 2014.01.16
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회로도 및 결과 실험 1) ADC 회로도를 구성하시오. ※ 멀티심 회로도 ※ 실험 2) Input 전압값을 기록하고, LED로 출력된 값을 2진수, 10진수로 표현하시오. (Vin 전압값은 R2, R3 저항값을 조절해서 인가한다.) 1) (R2=R3=100K일 때) 2.5V -> 10000000 -> 128 2)
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회로 시뮬레이터 5. 실험 내용 (1) 신호 발생기의 출력신호를 10kHz, 진폭이 100mV인 정현파로 조정하라. (2) <그림 8>과 같은 공통소스 증폭기를 구성하여라. (3) 직류전원과 신호를 공급하고 오실로스코프를 사용하여 입력과 출력 신호 파형을
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  • 등록일 2014.09.11
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