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VT = 0.7 (Si)
VT = 0.3 (Ge)
2) 전파 정류 회로
다이오드를 사용하여 교류의 +, - 어느 반 사이클에 대해서도 정류를 하고, 부하에 직류 전류를 흘리도록 한 회로. 중간 탭이 있는 트랜스 필요하다.
물론 반파정류회로의 정류파형과 전파정류회로의
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mpulse 발생기로 cos 또는 sin파를 생성하여 오실로스코프로 나오는 파의 모양을 사진으로 찍은 것이다. 만약에 실험방법에서 나오는 회로대로 결선을 한 후 그 회로를 통과하는 전파의 모양을 그려보면 그 모습이 바로 반파정류회로가 된다. 우
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반파정류회로와 비교했을 때 구간이 6조각으로 쪼개져 상대적으로 더 평활한 출력전압을 얻을 수 있었습니다.
2.2. 과제2
2.2.1. schematic 및 설정
2.2.2. simulation 결과 및 결과분석
전원에서의 전압은 다이오드에 의해 전파정류되어 R-C회로에 전압
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류회로가 음의 전압을 활용함으로써 반파정류에 비해 한 주기동안 두배의 출력값을 얻을 수 있다. 캐패시터를 달은 평활회로에서 맥동성분이 적어 효율이 좋다. 전압 레귤레이터까지 거쳤을 때 전파정류회로가 반파정류회로에 비해 2배의 직
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전파 정류회로
7.36V
파형모양
전압
1.32V
→ 이 네 번째 실험도 세 번째 실험과 마찬가지로 잘못된 값이 나왔다. 예상 전압값도 다르게 나왔을뿐더러 파형도 잘못되게 나왔다. 파형은 리플값이 반파정류회로보다 더 작게 나왔어야 하는데 별 차
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전기를 쓴다고 말하는 것도 실효치 개념으로, 파형의 최대값은 그
Root{2}
배인 약 311V 정도가 될 것이다.
4) 반파정류회로와 전파정류회로에서 입력 및 출력 파형에 대한 주파수의 관계를 각각 비교하고 최대 값과 평균값의 관계에 대하여 설명
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전파정류의 경우는 동시에 두 개가 도통되므로 약 1.4[V]정도의 전압강하가 생긴다는 차이가 있다.
반파정류와 전파정류를 표 1에 비교하여 나타내었다.
표 1. 반파정류회로와 전파정류회로
(3) 평활화회로
그림 1에서 보는 바와 같이 정류기
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전파정류회로
1)
2)
3)
4) 부하전압의 평균값
5) 커패시터 양단 리플 전압
6) 부하에서 리플 전압의 실효값
7) 부하에 흐르는 전류의 평균값
8) %리플 =
※참고
각 파형에 따른 peak-to-peak 전압값의 실효값
정현파
톱니파
반파정류파
전파정류
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반파정류회로에서 PIV 는 VSP
전파정류회로에서 PIV 는 VSP - VD 이다.
5)[그림 5.4]에서 저항 Rs가 추가되면, 다이오드의 파손이 방지된다. 그 이유를 설명하라.
▶추가된 용량으로 인해, 전원이 인가된 순간 부하전압 V0의 값은 0이다. 그러 면 VS가 다
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회로이다. 각 다이오드에 가해지는 바이어스 조건이 반파장마다 서로 반대(+), (-) 가 되지만 저항 R에서의 전류방향이 일치하기 때문에 정류파형은 그림2와 같이 출력파형으로 표시된다. 이때 입력파형과 전파정류된 파형은 주파수가 2배로 증
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