|
회로의 이해
(4) 트랜지스터의 증폭 메커니즘
(5) 이미터 접지 방법의 원리
3. 사용된 장비 및 재료
4. 실험 절차
1) 동작 영역의 분석
2) Collector 특성 곡선 생성
3) Bypass Capacitor의 역할과 전압 증폭률
5. 실험 결과 요약
1) 동작 영역 분석 결
|
|
|
뿐만 아니라, 자신이 어떤 부분에서 이해가 부족한지를 자각하게 하여 학습의 방향성을 잡는 데 큰 도움이 된다. 1. 실험
2. 실험 개요
3. 실험 장비
4. 이론적 배경
5. PSpice 시뮬레이션 회로
6. 실험 절차
7. 예비 보고 사항
8. 퀴즈
|
|
|
결과는 키르히호프 법칙의 중요성을 다시 한번 일깨워주며, 전자기학에서의 기초를 튼튼히 하는 데 기여할 것이다. 1. 실험의 개요
2. 연구의 목표
3. 시뮬레이션 도구 및 예비 실험 데이터
4. 초기 실험 결과 분석
5. 결과에 대한 논의
|
|
|
다음과 같이 전압 증폭률이 생기는 것을 확인할 수 있다.
또한 위 전압 파형을 보게 되면 아까 말했듯이 전압의 위상이 180도 바뀌는 것도 확인 할 수 있다. 3. 실 험 과 정
4. 실 험 결 과 사항
5. 예비보고 사항 문제
6. 검토 및 논의
|
|
|
실험을 통해 얻은 경험은 이론과 실제의 차이를 좁히는 데 중요한 밑거름이 되었으며, 향후 전기 및 전자공학 분야에서의 학습과 연구에 큰 동기를 부여하였다. [1] 실험 데이터
(1) 각 과정의 저항 및 전압 측정 결과
① 저항 측정 결과
|
|
|
회로의 결선을 연결 하여라.
(4) 디지털 전압계를 사용하여 각 저항 양단의 전압을 측정하여 각 저항에 흐르는 전류를 구하여라.
(5)회로를 사용하여 위 순서 (2)~(4)를 반복실험 하여라
(6)위순서 (5)에서 얻은 결과를 측정값에 대한 %오차를 측정
|
|
|
결과는 이론과의 일치를 보였지만, 항상 예측한 대로의 결과가 나타나는 것은 아니었고, 이로 인해 실험과 측정을 통해 도출한 데이터의 정확성과 신뢰성을 더욱 중요하게 여기는 계기가 되었다. 이번 레포트를 통해 배운 교류회로에 대한 이
|
|
|
세 번째 시뮬레이션 결과 그래프에 대한 진리표
CLK
CLK
A
B
C
D
1
↑
0
0
0
1
2
↑
0
0
1
1
3
↑
0
1
1
1
4
↑
1
1
1
1
5
↑
1
1
1
0
6
↑
1
1
0
0
7
↑
1
0
0
0
8
↑
0
0
0
0
<실험 7>
|
|
|
회로가 직렬, 병렬일 때의 저항 값을 구하는 방법을 이론과 실제가 맞는지 확인 할 수 있었다.
회로를 구성하고 측정하는 게 아직 미숙하여 생각보다 많은 시간을 소모하여 실험 했던 것 같다. 특히 전류를 측정 할 때 잘 되지 않아 여러 번의
|
|
|
하나의 임피던스가 병렬 접속된 것으로 대치할 수 있다는 이론인데 이번 실험을 통해서 결과값의 오차는 있었지만 테브낭과 노튼의 정리가 성립함을 알 수 있었다. 또한 테브낭과 노튼의 정리는 연립되는 정리임을 알 수 있었다.
|
|
메뉴펼치기
