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3.1 MOSFET의 특성
3.1.1.
(a) 센서 (무부하 출력: 정현파, 40mVpp, 5 kHz, 10 kΩ 부하: 20 mVpp)의 출력을 증폭하여 10 kΩ 부하에 1.5Vpp 이상의 전압이 걸리도록 아래 회로와 같은 Common source amplifier를 설계하라. 인터넷에서 2N7000의 data sheet를 찾아서 계획
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: 1개
저항 : 가변저항 1MΩ 2개, 100kΩ 2개, 10 kΩ 2개
3. 설계실습 계획서
3.1 Current-Steeing 회로 설계
3.1.1 V_DD=V_CC=10V일 때, 출력 전압 ( I )가 1mA가 되도록 <그림 10.1>과 같은 전류원을 설계하라. 이 때 MOSFET M_1, M_2로는 2N7000을 사용한다.
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3.1 Current Source(전류원) 설계
3.1.1 <그림 9.1>과 같은 회로를 이용하여 약 10mA의 전류 (I_O)를 출력하는 전류원을 설계하고자 한다. 단, power supply로는 V_CC=V_DD=10V, V_SS=0V를 사용하며 MOSFET M_2,M_3로는 2N7000 (PSpice 심볼 : 2N7000/FAI)을 사용한다.
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예비보고서 (2)번의 회로에 그림 4.7과 같이 DC path ()를 추가하고자 한다. 이 때, 가 너무 크거나 또는 너무 작으면 각각 어떤 문제가 있을지 설명하라.
Sol> 가 너무 작을 경우 Capacitor쪽으로 전류가 흐르지 않게 된다. 그렇게 될 경우 출력저항
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회로를 이용하여 AM복조기를 설계, 제작, 측정하여 가변 커패시터(바리콘)와 안테나, 그리고 audio power amplifier를 사용하여 광석 라디오를 제작하고 방송을 청취하여 그 동작을 확인한다.
2. 실험준비물
Oscilloscope (OSC) : 1대
Function Generator 1대
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3.1 이론부의 ‘MC14007UB’의 Data Sheet를 참고하여, 핀배열, CMOS gate로 회로를 구성할 때의 유의점 등을 설명하여라.
- 먼저 Inverter라는 것이 무엇인지 알고 시작해보자. 간단하게 말해서 Inverter는 직류전력을 교류전력으로 변환하는 장치이다.
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1. 목적
Limiting회로와 Clampling회로를 설계하고 구현, 측정, 평가한다.
2. 준비물
Analog Lab Unit(ALU) 1개
함수발생기 1개
직류전원(power supply) 1개
Oscilloscope(OSC) 1개
Diode : 1N914 또는 KDS160 1개
저항 : 100kΩ 10% 1개, 5kΩ 10% 1개
Capacitor : 1uF 1개
3.
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통한 C Class-AB Output Stage시뮬레이션
(입력 전압이 일 때의 입력과 출력 전압)
- 출력 전압의 포화 전압은 4.9V 즉 이다.
< 3. 참 고 문 헌 >
- 아주대학교 기초전기실험 교재. < 1. Data Sheet >
< 2. 설계 검증 (시뮬레이션) >
< 3. 참 고 문 헌 >
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회로를 통하여 우리는 주파수를 증가시켰을 때 임피던스 값이 어떻게 변하는지 살펴볼 수 있을 것이다.
⑥참고문헌 및 출처
1.일반물리학 교재.
2.전기회로 교재
3.네이버 블로그 ①실험 목적
②실험 원리
③실험 기구 및 재료
④실험 방
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. 즉 접합점을 향해 들어가는 전류의 합과 나오는 전류의 합은 항상 같다.
*제2법칙 - 전압의 법칙
회로에서 가해진 전원전압은 저항3개로 나누어져 소비된다. 즉, 부하는 3개의 저항이 되고 각 저항마다 전압강하가 생길 것이다. 각 저항의 전
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