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827 [Ω]
30.12 [Ω]
14.0 %
파라미터
값
IE
0.83 [mA]
re
30.12 [Ω]
출력
VIN
VOUT
이득(측정값)
이득(기대값)
%오차
1kΩ
26 [mV]
364 [mV]
17.7656
16.6
7.0 %
None
32 [mV]
769 [mV]
34.7538
33.2
4.6 %
470Ω
28 [mV]
236 [mV]
10.8308
10.62
1.9 %
○ 실험 16의 데이터 - 오실로 스코프
[1kΩ
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측 정 값
V0 (rms)
4.857 [V]
파라메터
계 산 값
P0 (rms)
10.978 [mW]
Pdc
0.04459 [W]
%
16.05 % // Vm p-p 최대% = 20.38 %
○ 실험 25의 데이터 - 오실로스코프
실험단계 5 : 가변저항을 꼽은 후
채널 1 (Input) : 10mV / DIV
Vp-p = 30 mV
채널 2 (Output) : 1V / DIV
Vp-p = 2.5 V
시간축 :
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에서와 같이 빠르게 eh는 크게 변화하지 않음을 알수 있다.
6. 이 실험의 공식(식 5와 6)으로 이 회로에 대한 직류부하선상의 포화점와 차단점을 구하라.
7. 다른 2N3904 트랜지스터를 사용하여 단RP2에서 5까지 반복한다.
결 론
이 실험에서는 콜렉
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전자공학, 컴퓨터공학, 로봇공학 분야의 필수적인 기초 지식이 된다.
마지막으로, 기술이 계속 발전함에 따라 이 두 장치 역시 성능, 전력효율, 통합성 면에서 계속 진화할 것이므로, 지속적인 관심과 학습이 필요하다.
이해를 넘어서 실제 활
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-3의 랩뷰 블록 다이어 그램
Sin 파를 넣은 후 그래프 값
RL 을 뺀후 그래프 값
바이패스 콘덴서 제거 후
오실로 스코프 측정 값
○ 결과 및 결론
이번 실험은 12장 실험에 비해 상당히 어렵고 난이도가 있는 실험이다. 오실로스코프 와 신호발생
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전자 기기에서의 효율적인 신호 처리를 위한 중요한 요소임을 인식하게 되었다. 전자전기컴퓨터 설계의 기초로써 MOSFET의 역할을 명확히 이해한 것이 앞으로의 학습 및 연구에 큰 도움이 될 것이라고 확신한다. 이 실험을 통해 얻은 지식과 경
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= 3 [V]
VCE = 5 [V]
VCE = 7 [V]
VCE = 9 [V]
5.558 - 4.470
= 1.088
6.475 - 3.548
= 2.927
7.471 - 2.545
= 4.926
8.401 - 1.610
= 6.791
9.411 - 0.5932
= 8.818
『11-2 회로도에 대한 Pspice 값』
○ 실험 11의 데이터
파라메터
측정값
기대값
오차율
VB
3.197 [V]
3.2 [V]
0.093 %
VC
7.490 [V]
7.5 [V]
0.
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이 측정값을 기댓값(식4)과 비교하라.
결 론
이 실험에서는 180˚의 위상차를 갖는 소신호 공통이미터 증폭기의 동작과 특성을 설명하였다. 여기서 입력신호는 트랜지스터의 베이스 단자에 가해지는 반면에 출력신호는 콜렉터 단자로부터 얻는
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를 구성한뒤 랩뷰로 다이어그램을 작성한후 그 값을 측정하는 일반적인 실험과 다른게 없었다. 다음으로 지금까지 실험중 처음 사용된 펄스 제네레이터는 의외로 사용법도 간단했고 직관적인 인터페이스여서 사용하기 수월 했다.
실험에 있
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emitter)로 표시되는 에미터에서는 총 전류가 흐르게 되고 얇은 막으로 된 베이스(B; base)가 전류흐름을 제어하며 증폭된 신호가 컬렉터(C; collector)로 흐르게 된다.
VOM : Volt Ohm Meter 직류 및 교류 전압(Volt)과 저항(Ohm, 옴) 값을 기본적으로 측정하는
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