|
1V의 전압이 나타나도록 감쇄기를 설계한다고 한다면,
이 감쇄기의 삽입손실은
또한 위의 그림과 같이 T형 감쇄기를 사용하여 150Ω의 부하에 정합 되어졌을 경우에 부하에 나타나는 전압은 얼마인가? 목차
1. 다이오드의 직류특성
2. 제
|
|
|
다이오드, LED, 제너다이오드와 같은 전기적인 장치의 변화도 조사하라. 실험을 하고 장 치의 방향을 바꾸고 반복한다.
3. 낮은 전압의 교류 전원 공급 장치를 사용하고 간단한 회로에 시간의 함수로 전류와 전압 을 측정하여라. 두 그래프를 비
|
|
|
특성에 대해 실험으로 이해할 수 있어서 유익했던 실험이라 생각된다. 1. 목적
2. 관련이론
(1) 슬립 및 슬립이 회전자의 주파수 및 전압에 미치는 영향
(2) 유도전동기의 등가회로
(3) 토크
(4) 고정자전류
(5) 역률특성
(6) 효율
(7) 유도
|
|
|
전압이 출력 됩니다. 콘덴서 C1은 고주파 이득을감쇄시켜서 안정된 동작을 하도록 하기 위한 것입니다. 저항의 비를 정밀하게 측정하는 경우에 이와 같은 회로가 이용됩니다. 1. 실 험 목 적
2. 실 험 내 용
3. 실험장치
|
|
|
실험 결과를 체계적으로 기록하고 분석할 수 있다. 이러한 장비와 부품을 통해 MOSFET의 특성을 정확히 분석하고 전자 회로 실험의 이해를 깊이있게 할 수 있다. 1. 실험의 목표
2. 실험의 이론적 배경
(1) MOSFET의 기본 구조와 기능
(2) 공핍
|
|
|
1) 사용기기
- 오실로스코프
- 디지털 멀티미터
- 함수발생기
- 전원공급기
(2) 사용부품
- 실리콘 다이오드
- 저항
- 전해 콘덴서
- 변압기
(3) 실험순서
1) 그림 1의 반파정류회로를 결선하라. ()
2) 오실로스코프를 이용하여 점 A와 B사이의 전압파
|
|
|
실험장치:
- Function generator, Oscilloscope
- Breadboard, Jumping wire
- OP-amp
- 저항
4. 실험결과
1) Op Amp – Add/Subtract Circuit
[1-0] Operational amplifier를 사용하기 위하여 칩의 pin diagram을 살펴 보고
+/_ 전압을 바르게 인가하시오.
→ uA 741 Op amp의 da
|
|
|
특성이 다 다르기 때문에 다른 실험 결과 값이 얻어진다. (트랜지스터가 바뀌면 Shockley방정식에 의해 ,가 변화 : 와 또한 변화)
9. JFET 전압분배 바이어스 회로해석은 BJT 바이어스 회로해석방법과 동일하다.
10. 회로에 따라 부하선의 방정식이
|
|
|
디지털 멀티미터
- 전원 공급기
(2) 사용부품
- 저 항 : 1 ㏀, 3.3㏀, 10 ㏀, 4.7 ㏀
3. 실험결과 실험3키르히호프
실험4직병렬회로
실험5최대전력전송
실험6테브난
실험7중첩의원리
실험8RC
실험9RL
실험10RLC
실험11공진
실험12다이오드
|
|
|
특성을 구분하는 것이 어려웠는데 실험으로 이해하니 더 쉬웠다. 또 R 성분이 없는 LC회로에서 공진 주파수일 때 C의 전압이 최대가 된다는 사실도 확인하였다.
전체적으로 파형은 잘 나왔으나 값들이 만족스럽지 못했다. 다음 실험에서는 더
|
|
메뉴펼치기
