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빼주는 과정에서 생긴듯하다.
6. 참고문헌
1) Johnson, David E, 『회로해석』, 서울:사이텍미디어, 1997
2) 박송배, 『신회로이론』, 서울:문운당, 2005 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 분석 및 토의
6. 참고문헌
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및 저항, 코일, 축전기에 걸린 전압을 측정
(5) 주파수를 바꾸면서 (1)~(4)를 다시 실행
(6) Z와 φ를 계산
(7) 측정치 (V), (V), (V)에 를 곱하여 최대치로 만들고 총 전압을 그려라 1. 목적
2. 기본이론
3. 참고문헌
4. 기구 및 장치
5. 실험방
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실험을 했다. 데이터스튜디오 프로그램을 통해 RC시상수를 구했는데 매우 단순한 방법으로 간단하게 구할 수 있었다. 이론값과 측정값의 비교에 있어서도 오차율이 0.04%~0.3% 이내로 아주 작았다. RC회로 및 시상수 실험 보고서
1. 실험 목
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측정하여 각각의 , , 를 계산한 결과 0.976, 1.00, 1.01 가 나왔고 거의 1과 근사한 경향성이 나타났다. 이 때 시간상수는 였다. 따라서 시간에 따른 전압의 그래프를 통해 축전기의 충방전 현상이 지수함수형 변화라고 결론 지을 수 있었다.
다음으
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및 고찰:
이번 실험을 하면서 반도체 소자가 주위의 환경에 많은 영향을 받는 것을 확인할 수 있었다. 온도를 0℃, 20℃, 40℃, 60℃, 80℃로 증가를 시키면서 전류를 관찰하였더니 온도에 따라서 전류가 증가하고, 문턱전압이 낮아지는 것을 실험
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NAND 게이트를 사용하여 실험 순서 2에서 구한 표현식으로부터 무효 코드 검출기를 구현하는 회로를 그려라. 논리 회로 간소화
- 실험목표
- 사용부품
- 이론요약
- 실험순서
- 추가조사
- 보고서 ( 데이터 및 관찰 내용, 결과및 결론 )
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전압을 먼저 조절하다 저항이 타버리는 결과가
생겼다.
목차
1.목적
2.실험장비
3.장비목록
4.이론개요
5.실험순서
1) 트랜지스터의 형태, 단자, 재료의 결정
2) 컬렉터 특성
3) 와 의 변화
6. 토의 및 고찰
기초전자공학실험
결과 리포트
(쌍극성접
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4. 레퍼런스
- 그림으로 쉽게 배우는 회로이론 / 신윤기 / 인터비전 / p40, p260
- 제 7판 회로이론 / Thomas L. Floyd / PEARSON / p248∼249
- 회로이론 / James W.Nilsson / 한티미디어 / p.162∼163 1. 관련이론
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
4. 레퍼런스
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파형이 커지는 것을 확인 할 수 있습니다.
애노드-캐소드 위로 진폭 : 20 V
애노드-캐소드 아래 진폭 : 60 V
5. 4의 실험 결과를 분석하여 전구 양단에 걸리는 전압 파형을 그려 보아라.
실험 3 : TRIAC를 이용한 교류 전력(위상)회로
1. 그림 5.9의 회로
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http://kr.dic.yahoo.com/search/eng/result.html?pk=0004408&p=aneroid
* http://kr.dic.yahoo.com/search/eng/result.html?pk=0123771&p=transmitter
* 김기현 “Pitot Tube, Averaging Pitot Tube와 MPA 유량계” 개요, 측정원리 및 실험장치, 측정결과, 분석 및 토의, 결론,
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