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논문 1건

[논문] ReRAM & 비휘발성 메모리
측정하였다. NiO의 밴드갭이 3.7~3.9eV 로 거의 부도체와 같다. 특정 전압 이상에서 갑자기 전류가 흐르는 forming 과정이 발생하고 forming과정 이 끝나게 되면 전류는 전압의 따라 증가하게 된다. 그러다 전류가 급격히 감소하는데 이것은 reset이라
ReRAM|비휘발성 메모리|memory|PRAM|PoRAM|MRAM|supper, ReRAM & 비휘발성 메모리,
  • 페이지 13페이지
  • 가격 2,000원
  • 발행일 2009.06.15
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
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