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저항을 멀티테스터로 측정한 결과 정확성이 약간 떨어진다고 사료됨.
5. 결론 및 제안
(1) 결론
실험 1.에서 전류는 = =++ 의 식이 성립함을 알 수 있다.
실험 1.에서 전압은 = = 의 식이 성립함을 알 수 있다.
실험 2.에서 전압은 전체전압 과 직렬구
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저항기의 이상여부, 와이어의 이상여부, 멀티테스터의 이상여부, 파워 서플라이의 전압 이상여부 등) 여러 오차가 발생할수 있기 때문에 이러한 것들이 하나 하나 있으면 그만큼 오차가 더 커질수 있기 때문에 오늘의 실험은 오차값이 그리
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저항선에 흐르는 전위가 0인 지점을 찾았다. 이를 바탕으로 그 저항의 길이비인 미지전지와 표준전지의 저항의 비로 앞서 언급한 식을 이용해 미지전지의 기전력을 계산하였다. 또한 멀티테스터기로 측정한 미지전지의 기전력 값을 비교하여
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멀티테스터기가 전류에 대해서는 제대로 작동하지 않는 바람에 바늘이 있는 전류계로 0을 찾아 맞추곤 했다. 하지만 고감도의 전류계를 사용하지 않으면 미지저항 때문에 오차가 발생하는데 아마 우리 조의 실험값이 이론값에서 많이 벗어날
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가감해서 T가 무전류로 되면, 이 때
인 관계가 있다.
③실험방법
1. 용량을 아는 축전기 1개, 미지용량의 축전기 3개, 저항 1개, 가변 저항 1개, 검류계, 교류전원, 스위치, 멀티테스터를 준비한다.
2. 주어진 기구들을 연결한다.
3. Cx의 위치에 측
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저항이 있다. 이것을 모두 계산해 넣지 않았다. 인덕터도 코일로 만들어진 일종의 저항체이다. 인덕터의 자체 저항을 계산해 넣지 않은 것이 오차를 발생시켰다. 실제로 멀티테스터로 측정한 경우 저항이 있음을 알수 있었다.
③그래프를 눈
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343[ ]
0.014A
4. 고 찰 및 검 토
옴의 법칙, 멀티테스터로 저항 측정하는 방법, 직렬회로 실험을 통해서 알게 된 지식을 배경으로 병렬 회로 실험을 하였다. 키르히호프의 전류 법칙이 성립되는지를 알아보았다. 한 접속점에 유입되는 전류의
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사용법을 숙지하는 것이다.
브레드보드를 이용해 Si, Ge 다이오드를 사용해 순역방향 회로도를 만들어 그에 따른 IV 측정과 표를 작성하였다. 작성한 표를 통해 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이점을 알 수 있었다. 순방향 전류의 전체적인 변
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저항이 실제보다 클 수도 있고, 인덕터의 인덕턴스도 표시된 값과 어느 정도의 차이를 보일 수 있기 때문이다. 그리고, 멀티테스터로 전압을 측정할때, 전압 범위를 큰 범위부터 측정하지 않고 작은 범위부터 측정한것도 오차의 원인에 들어
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저항이다. 그 결과 전류를 측정 시뮬레이션을 보면
R_{ 3 }
의 전류와
R_{ m }
의 전류는 비슷하게 나온다. 여기서
R_{ m }
을 구하기 위해서 식을 세우면
R_{ m } = { R_{ 1 } (V-R_{ 3 } I_{ } ) } over { I(R_{ 1 } +R_{ 3 } )-V }
이다. 1. 오실로스코프
(1)오
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