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서나 그때의 입력변수의 상태에 따라 0혹은 1로 결정된다. 즉 출력은 입력변수들의 함수로 표현된다.
논리적 함수관계를 나타내는 법
◎ 논리회로도로 나태내는 방식
◎ 부울대수에 의한 수학적 기호로 나타낸 표현 방식
◎ 진
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서는 실험에 대한 사전 준비와 예비레포트의 중요성을 다시 한번 느낄 수 있었다.
7.참고문헌 및 출처
일반물리학실험, 부산대학교 물리학 교재편찬위원회, 청범출판사, p217~223
전기전자공학개론, Giorgio Rizzoni, McGraw-Hill Korea, p.52~55 1.실험
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전기적 특성이 다이오드의 전기적 특성과 유사하여 유기 발광 다이오드라고 하며, 양극과 음극사이에 여러 층의 유기물 층을 성막하고, 양극과 음극 층에 전압을 인가하면 전자와 정공이 음극과 양극으로부터 주입되어 유기물 층에서 재결합
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및 출처
1. 일반물리학실험(청문각) 사진:구글(www.google.com)2. 일반물리학 실험실
3. 네이버 블로그 : https://eyecoler.blog.me/220964520425 _ 저항값 읽는법
4.일반 물리학 실험(제4판)
페이지/p.179~182(ch19. 전자 측정 연습)
저자/대학교 물리학교편찬위원회
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및 발전연구. 교육한 연구. 제 37권 1호
배명진(1999). <미래포럼?> 대학의 기술경쟁력 확보방안. 전자신문.1999. 2. 26
윤봉용(1996). 학부제의 정착과 발전을 위한 정책과제. 대학지성4 1. 서론
1) 학부제의 개념 및 취지
2) 학부제의 실시
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Plot 하라.
▲ Vo 의 P 에대한 관계식
▲ P=0 일 때, Vo=0 이기위한 가변저항 R2의 저항값
▲ P=0 일 때, Vo 의 P 에대한 관계식
참고문헌
전자용어대사전 : 기다리 출판사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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서는 브리지 상수는 2이고, 4 게이지 법에서는 4가된다. 어떤 경우에는 게이지는 프와송비의 함수인 횡스트레인을 감지하도록 부착하는데 브리지상수는 1.3 및 2.6이된다. (이 경우, 프와송비를 0.3이라고 가정)
≪ 그 림 ≫ 전기전자 공
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조절이 정확하게 맞지 않으므로 무게측정에서 오차가 생겼을 수 있다.
6. 참고 문헌
-일반물리학실험/북스힐 159~163쪽 참고 전자전기공학 - 쿨롱의 법칙
1.목적
2.원리
3. 기구 및 장치
4. 실험방법
5. 결과 및 토의
6. 참고 문헌
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정격 전압
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
0
1
1.25
1.6
2.0
2.5
3.15
4.0
5.0
6.3
8.0
1
10
12.5
16
20
25
31.5
40
50
63
80
2
100
125
160
200
250
315
400
500
630
800
3
1000
1250
1600
2000
2500
3150
4000
5000
6300
8000 1. 실험장비 및 부품
2. 실험방법
4. 측정값
5. 결과분석 및 토의
6. 참고자료
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서 전압이득의 주파수 특성을 확인해 보았다.
먼저 입력전압을 VAC(3V) 소자로 교체한 뒤 시뮬레이션을 실행하니 아래 그래프가 나타났다. <설계2 결과보고서>
Pspice를 이용한 전기/전자회로 모의해석
1. 설계 목표
2. Pspice 예시회로
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