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8장 예비 레포트
Ⅰ. 배경 이론
<이론 3장>
1. 디지털 멀티미터(DMM)
기본적으로 전압(V), 전류(A), 저항(Ω)을 측정할 수 있으며 기능스위치를 측정하고자 하는 측정단위에 맞추어 놓고 측정한다. 하나의 도입선은 com에 연결하고
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1. 목적
건전지의 출력저항과 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익힌다. 부하효과(Loading effect)를 이해한다.
2. 준비물
* 기본 장비 및 선
Function generator: 1 대
DC Power Supply(Regulated DC Power supply(M
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측정용 버튼 ⑥ 중에서 mA 버튼을 선택한다. 1차 측정 후 1mA 이하이면, μA 버튼으로 바꾼다.
(3) ⑦의 Alt F 버튼으로 직류 또는 교류를 선택.
(4) 설정을 확인한 후 회로에 프로브를 연결하여 측정을 실시한다. 기초 전자 실험 예비 보고서(저항
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측정값 : 384Ω
3.5kΩ의 측정값 : 3.27kΩ
470Ω의 측정값 : 462Ω
1.2kΩ의 측정값 : 1.19kΩ
220Ω의 측정값 : 217Ω
≪ 사 진 ≫ ≪ 그 림 ≫ 4장 예비 레포트…………………………………5p
Ⅰ. 배경 이론
Ⅱ. 설계 실습 계
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저항R은 4406.8Ω이고 따라서 전류I는 1.3㎃이다.
3).회로 전체에 흐르는 전류를 계산하고 측정한다.
4. 예비 보고서
(1) 옴의 법칙에 대하여 설명하여라
하나의 도선에 흐르는 전류의 세기는 전압에 비례하고, 도선의 전기 저항에 반비례한다는법
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측정값: 3.03kΩ
3.3kΩ의 측정값: 3.29kΩ
▶ 이론적으로는 4.95kΩ을 연결해야 하지만 실험여건상 4.8kΩ로 연결했으므로 이론적으로 Vab에는 8.89V, Vbc에는 6.11V가 걸리게 된다.
≪ 그 림 ≫ 3장 예비 레포트………………………
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예비보고서를 다시 자세히 읽고 실험에 임한다면 좋은 결과 있을 것 같습니다.
5. 참고 문헌 및 출처
출처: 위키 백과 [http://ko.wikipedia.org/]
네이버 백과 사전 [http://100.naver.com/]
일반물리학실험 예비보고서
전자측정 연습
작성일: 2011년 09월 06일&
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저항에 걸린 전압 VR을 측정하고 오실로스코프로 커패시터에 걸린 총 전압 Vct를 측정하여 표 19-2에 기록한다.
a4. 측정한 VR과 저항값을 이용하여 IT를 계산한 후 표 19-2에 기록한다.
a5. IT와 Vct를 이용하여 용량성 리액턴스를 계산하고 표2의 Xct
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저항의 회로로 인하여 강하된 전압을 측정함으로써 측정범위를 넘어서는 전압을 측정할수 있게 된다. 측정되어진 전압값에 (1 + Rs / Rm)를 곱하여 전압값을 구할수 있다. 1.실험 목적
2.실험 이론
3.실험 회로도 및 실험 방법
4.예비 보고서
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저항
R_{ 1, } R_{ m }
은 병렬로 연결되어 있다.
R_{ m }
은 미지의 저항 값을 놓아야 하지만 임의로 1
Omega
값을 넣었다. 그리고
R_{ 1 }
은 분로 저항이다. 그 결과 전류를 측정 시뮬레이션을 보면
R_{ 3 }
의 전류와
R_{ m }
의 전류는 비슷하게 나
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