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결과는 다음과 같은 오차가 있다.
오차 1. 정전기 전압의 수치를 소수점 셋째자리에서 반올림 하였다.
오차 2. 미량저울의 눈금 단위가 소수점 첫 번째 자리까지 나타내므로 무게변화량을 측정 시 정확한 값을 측정하는데 한계가 있다.
오차 3.
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ReRAM
2. 비휘발성 메모리 시장 전망
2-1. 대기업 참여 현황
II. 본 론
1. NiO 물질을 이용한 ReRAM 특성 구현
2. 실험 방법
1-1. R.F Magnetron Reactive Sputtering Deposition
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
3. 실험 결과 및 분석
III. 결 론
IV. 참고문헌
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as a plug-in type. 단일 전류센서를 갖는 단상 반브릿지 능동전력필터
1. 서론
2. 능동전력필터의 원리
3. 단일 전류센서 능동전력필터
4. 시뮬레이션 모형과 결과
5. 프로토타입 제작 및 실험
6. 결과
참고문헌
Abstract
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전기전자 공학과, 삼성전자 LSI 시스템) 2004
<4> 김 대 정, “DLL기반의주파수 합성기” IDEC News Letter January, vol.34,
no.5, p.16 ~ p.17 2005
<5> CMOS ADC DLL PLL 칩의 최신 기술 동향, 포항공대 전기전자 공학과,
IDEC News Letter Octorber, vol.23, no. 5, p.16 ~ p
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