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실험을 통해 MOSFET의 응용 분야가 매우 넓다는 것을 느꼈으며, 전자 기기에서의 효율적인 신호 처리를 위한 중요한 요소임을 인식하게 되었다. 전자전기컴퓨터 설계의 기초로써 MOSFET의 역할을 명확히 이해한 것이 앞으로의 학습 및 연구에 큰
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전기량 측정
1. 실험목적
2. 실험이론
① LabVIEW
② 퓨리에 급수 (Fourier Series)
③ RMS Value
④ 멀티테스터 (Multi-meter)
⑤ 함수발생기 (Function Generator)
⑥ 오실로스코프 (Oscilloscope)
3. 실험기구
4. 실험과정
① 함수 발생기로 100Hz, 2V
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오실로스코프의 내부저항에 같은 크기의 전압이 걸리게 되므로, 이때 오실로스코프의 내부저항을 알수 있다.
▲전원의 극을 바꾸어 실험하여도 오실로스코프상에 표시되어지는 점의 위치만 바뀔뿐 결과는 동일하다.
5. 함수발생기의 OFFSET con
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전위차는 0가 되고, 다음과 같은 관계식이 성립한다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험목적
4. 실험준비물
5. 실험절차
6. 기본지식 및 관련이론
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기초를 확고히 하는 계기가 되었고, Verilog의 활용 가능성을 깨닫는 소중한 경험이 되었다. 향후 실습에서는 더욱 복잡한 회로 설계와 다양한 기능을 구현해보며 Verilog의 깊이 있는 응용 역량을 키워나가는 데 집중할 예정이다. 1. 실험 결
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오실로스코프, 함수발생기 사용법을 익혔다. 또 Mesh-current와 옴의 법칙, 키르히호프의 법칙 등에 대한 이해도가 높아졌다.
4. 레퍼런스
- 일반물리학/Hallday/범한서적주식회사/p 874~879 1. 관련이론
2. 실험 결과
3. 결론 및 토의
4. 레퍼런스
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함수발생기를 사각파, 삼각파 등으로 전환하여 파형을 확인하라. 또한 스위프 주파수 및 시간을 설정하여 파형의 주파수 스위프를 오실로스코프로 확인하라. 측정된 결과의 파형을 그려라. 1. 실험 목적
2. 실험 준비물
3. 기초 이론
4. 실
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실험을 하다 보니 기기에 대한 정확한 이해도도 떨어지고 기기의 노후화로 인해 고장난 기기가 많아 실험에 많은 어려움을 겪었다. 또한 멀티미터가 정확한 전자 값이 아닌 눈으로 측정한 값이고 측정값을 표시하는 데이터가 지속적으로 떨
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1.실 습 목 적
2.실 습 내 용
3.사 용 기 자 재 및 부 품
4.이 론
5.실 습 결 과 보 고 서
6.과 제 보 고 서
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특성이 나타나는가를 확인한다.
(3) 그림 10-2 회로에 함수발생기를 사용하여 정현파를 입력하고 그림 10-6과 같은 위상 지연이 나타나는가를 확인하라. 이론값과 비교하라. 1. 실험 목적
2. 실험 준비물
3. 기초 이론
4. 실험 진행방법
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