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= 0.41
15. GaAs(Ⅲ-Ⅴ)와 ZnSe(Ⅱ-Ⅵ) %이온성
%이온성 = (100%)이므로
1) GaAs의 경우, 전기음성도는 XGa=1.8, XAs=2.2이다.
%이온성 = (100%)
= (100%)
= (1-0.96)(100%) = 4%
2) ZnSe의 경우, 전기음성도는 XZn=1.8, XSe=2.2이다.
%이온성 = (100%)
= (100%)
= (1-0.85)(100%) = 15%
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전자농도(ni)=가전자대 정공농도(pi)
진성반도체 Fermi에너지 준위를 진성 Fermi 에너지 EF=Efi
(Eg : 밴드갭 에너지)
따라서 진성 캐리어 밀도 이다.
옴의 법칙에 의해 이고 드리프트 전류를 일반화하면
다시 정리하면 = = = 5.075 × 1015/m3
15.
14번과 마
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전자들은 실리콘/게이트 산화막의 경계면 쪽으로 이끌리게 되며 플로팅 게이트 아래에 n채널이 형성된다. 소스/드레인 으로부터 온 전자들은 이 채널을 통해 이동할 수 있으며 전기적인 전류를 전달한다. 비록 대부분의 전자들은 채널을 통해
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있다. 오차함수표를 이용하면,
0.521 - 0.500
=
- 0.5205
0.550 - 0.500
0.5633 - 0.5205
, 0.42
=
- 0.5205
0.5633 - 0.5205
= 0.538
erf 0.521 = 0.538
= 0.90 - (0.70)(0.538) = 0.52%
12.
= 1024atoms/m3 = ?m
= 0 atoms/m3 = 3h = 3h × 3600s/h = 1.08 × 104s
= 1022 atoms/m3 1100℃ = 7.0 × 10-17m2/s
1024 - 1022
=
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자가 채워진다. 양이온 A, B에는 양전하의 총합이 8이 되는 각종 조합이 가능한데, 그 배열이 스피넬과 같아지지 않는 경우 도 있다. 스피넬과 같은 배열의 것을 특히 정상스피넬형이라 한다. B의 반이 4배위, B의 반과 A가 6배위의 위치에 채워지
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반도체의 에너지밴드와 결정구조
에너지밴드
전자궤도, 최외각궤도(껍질)
밴드 : 고체결정을 형성하기 위해 많은 원자가 결합될 때 전자의 궤도가 겹쳐져 생김
절연체, 반도체, 금속의 에너지밴드 구조
반도체는 상온(300 K)의 열에너
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원자의 구조 및 결합
최외각 전자의 영향
1) 화학적성질 2) 원자결합의 성질 3) 기계적 강도에 관한 특성 4) 원자의 크기 및 전기전도성 5) 광학적 성질
1차 원자결합
1) 이온결합: 음이온과 양이온의 coulombic force
2) 공유결합: 편재된
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여기서, a1과 a2를 각각 1차 전기 광학 효과 계수와 2차 전기 광학 효과 계수라고 한다.
위 확장 식에서 첫 번째 E 항목에 기인한 n의 변화를 포켈스 효과(Pockels effect)라고, 두 번째 E2 항목에 기안한 n의 변화를 커어 효과 (Kerr effect)라 한다.
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응용.
5-1. CNT를 이용해 만든 투명하고 휘어질 수 있는 전극의 모습과 그 응용분야들
5-2. CNT로 만든 투명하고 휘어질 수 있는 트랜지스터들
5-3. CNT로 만든 투명 스피커와 투명 사인보드
6. 탄소나노튜브의 향후 과제.
참고문헌
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전자방출 또는 전기장 방출 등으로 전자를 공급한다. 주로 알루미늄을 주 재료로 사용하며 합금을 쓰기도 한다.
www.naver.com 네이버 백과사전에서 발췌 및 인용
5. 결론
우선 이 과제를 진행하면서 이번 학기 수업을 진행하고 있는 반도체 물성
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