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실험)
그때의 가변저항 값
오차율
IC
VCE
IC
VCE
R1
R2
IC
VCE
포화 (단계P)
0.0049 [A]
0.0196 [V]
10 [Ω]
11 [kΩ]
차단 (단계 10)
4.10391
×10-5 [A]
9.917 [V]
11.15 [Ω]
11.2 [Ω]
활성영역
(단계 11)
28.55 [μA]
1.088 [V]
44.98 [μA]
1 [V]
5.5 [kΩ]
6.1 [kΩ]
37.52 %
8.088 %
22.55 [μA]
2
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에서와 같이 빠르게 eh는 크게 변화하지 않음을 알수 있다.
6. 이 실험의 공식(식 5와 6)으로 이 회로에 대한 직류부하선상의 포화점와 차단점을 구하라.
7. 다른 2N3904 트랜지스터를 사용하여 단RP2에서 5까지 반복한다.
결 론
이 실험에서는 콜렉
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실험 5장에서의 직류동작점 , 이미터 바이어스 가 참고 자료 였으나 참고를 하려 해도 반도체 물성과 소자, 전자회로 같은 수업을 듣지 않았기 때문에 전체적인 실험의 큰 맥락은 이해가 되질 않았다. 하지만 반도체, 트랜지스터를 구동시키기
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.
결 론
이 실험에서는 위상편이가 없는 소신호 공통콜렉터 증폭기 또는 이미터폴로워의 동작과 특성을 설명하였다. 여기서 입력신호는 트랜지스터의 베이스단자에 가해지는 반면에 출력신호는 이미터단자에서 얻는다. 이 실험에서는 또한
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선이 모든 가능한 IC와 VCE의 조합으로 구성되기 때문에 반드시 직류부하선상에 놓여 있어야 한다.
결 론
이 실험에서는 전압 분배 바이어스된 회로에서의 전압과 전류를 확인하고 회로에 대한 직류부하선을 작성하였다. 더불어 바이어스 회로
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827 [Ω]
30.12 [Ω]
14.0 %
파라미터
값
IE
0.83 [mA]
re
30.12 [Ω]
출력
VIN
VOUT
이득(측정값)
이득(기대값)
%오차
1kΩ
26 [mV]
364 [mV]
17.7656
16.6
7.0 %
None
32 [mV]
769 [mV]
34.7538
33.2
4.6 %
470Ω
28 [mV]
236 [mV]
10.8308
10.62
1.9 %
○ 실험 16의 데이터 - 오실로 스코프
[1kΩ
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측 정 값
V0 (rms)
4.857 [V]
파라메터
계 산 값
P0 (rms)
10.978 [mW]
Pdc
0.04459 [W]
%
16.05 % // Vm p-p 최대% = 20.38 %
○ 실험 25의 데이터 - 오실로스코프
실험단계 5 : 가변저항을 꼽은 후
채널 1 (Input) : 10mV / DIV
Vp-p = 30 mV
채널 2 (Output) : 1V / DIV
Vp-p = 2.5 V
시간축 :
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-3의 랩뷰 블록 다이어 그램
Sin 파를 넣은 후 그래프 값
RL 을 뺀후 그래프 값
바이패스 콘덴서 제거 후
오실로 스코프 측정 값
○ 결과 및 결론
이번 실험은 12장 실험에 비해 상당히 어렵고 난이도가 있는 실험이다. 오실로스코프 와 신호발생
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이 측정값을 기댓값(식4)과 비교하라.
결 론
이 실험에서는 180˚의 위상차를 갖는 소신호 공통이미터 증폭기의 동작과 특성을 설명하였다. 여기서 입력신호는 트랜지스터의 베이스 단자에 가해지는 반면에 출력신호는 콜렉터 단자로부터 얻는
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를 구성한뒤 랩뷰로 다이어그램을 작성한후 그 값을 측정하는 일반적인 실험과 다른게 없었다. 다음으로 지금까지 실험중 처음 사용된 펄스 제네레이터는 의외로 사용법도 간단했고 직관적인 인터페이스여서 사용하기 수월 했다.
실험에 있
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