|
V0는 스위치가 도통되기 전에 콘덴서에 충전된 전하에 의한 초기전압을 나타낸다. 그리고 식(2.12)는 콘덴서가 물리적으로 입력 신호를 누적시키는 적분기로서 동작됨을 보여주고 있으며, 이때 적분되는 시간은 콘덴서의 용량 C와 회로의 저항
|
|
|
유도코일, 축전기로서 그림 과 같은 직렬 RLC회로를 구성하고 전류계를 연결한다.
↓
(3) 오실로스코우프를 이용하여 저항 R1 양단(ab양단)간의 전압 εR, 코일 L의 양단(bc양단) 간의 전압 εL, 축전기 C의 양단(cd양단)간의 전압 εC을 각기 측정하고
|
|
|
전압 측면에서 볼 때 CMOS에는 5V CMOS와 3.3V CMOS의 두 종류가 있다. 3.3V CMOS는 전력소비를 줄이고자 하는 노력의 결과 더 최근에 개발된 소자이다. 전력소비는 전압의 제곱에 비례하기 때문에 전압을 5V에서 3.3V 낮출 경우 다른 특성은 변하지 않고
|
|
|
6. 고 찰
옴의 법칙은 가장 기본적인 공식이다. 이 옴의 법칙을 통해서 전류나 전압, 저항 중 2가지 값만 알아도 다른 하나의 값을 알아 낼 수 있다. 이것 뿐만이 아니라 오늘의 실험을 통해서 직렬 저항 회로에서는 전압이 각 저항에 나누어 지
|
|
|
전압과 전류 측정
<회로 1> 최대허용전류 100mA, 출력전압 3.3V로 설정
저항
R1
R2
R3
전압(v)
1차
0.52040
1.05110
1.72668
2차
0.52040
1.05114
1.72669
3차
0.52027
1.05103
1.72626
평균값
0.52036
1.05109
1.72654
전류(mA)
1차
5.2849
5.2855
5.2849
2차
5.2844
5.2851
5.2791
3차
5.2847
5.
|
|
|
록하라.
⑸ 회로에서 다이오드를 제거하고 저항을 측정한다. 저항계의 리드선을 바꾸어 다시 한 번 측정한다. 저항계 내부 구동 전지가 극성이 있으므로 저항계 리드선도 극 성이 있다. 각 저항치를 표 22.1에 기록하라.
2 전압 ― 전류 측정
|
|
|
회로를 만들어서 크기에 따른 회로의 시상수를 이해하는 것 이었는데, 계산을 통한 값과 측정값이 차이가 나는 것을 볼 수 있었다.
그 다음 실험에서는 RC통과회로를 구성하고 주파수와 전압진폭의 관계를 알아보는 것이었는데 고역통과회로
|
|
|
회로를 구성하고, 그림에 표시된 전압 V4가 V2와 같게 되도록 가변저항을 조절하고 이때의 R1, R2, R3, R4의 저항값들을 기록한다. 전압 V4가 V2와 같기 위한 R1, R2, R3, R4 사이의 관계식을 구하고, 실제로 이 관계식이 성립하는지 확인한다.㏀
측 정
|
|
|
전압을 측정할 때처럼 DMM1의 전압을 측정한다.
3.3 5KΩ, 10KΩ 저항이 병렬 연결된 저항에 5KΩ 저항이 직렬 연결되어 있다. 이것의 양단에 5V 전원(power supply)이 연결되어 있는 회로를 그리고, 또 각각의 저항에 걸리는 전압, 각각의 전성에 흐르
|
|
|
회로를 직접 브레드보드에 구현 해 봄으로써 회로가 어떻게 구성되며 전압과 전류가 어떻게 흐르는 지 몸소 익힐 수 있었다. 특히 닫힌회로를 구현하는데 그림과는 달라서 생각을 해야만 했다.
직접 전압, 전류, 저항을 구해 봄으로써 옴의 법
|
|
메뉴펼치기
