|
실험 결과의 신뢰성을 입증하였다. 이러한 결과는 MOSFET의 동작 원리를 명확하게 이해하는 데 기여하며, 실용적인 회로 설계 및 분석에 있어서도 유용한 기초 자료가 된다. 전체적으로, 본 실험을 통해 MOSFET의 기본적인 IV 특성을 체험하고 이
|
|
|
전압이 발생된다는걸 알수가 있다.
⑩ 직류 전원발생기를 이용하여 40V의 전압을 발생시킨 후 전압계를 이용하여 확인하시오.
# 40V = P1 : 20V + P2 : 20V
측정한 결과 ( 40.051V )
<실험2>
① [그림 6-4]와 같이 회로를 구성하시오.
② 합성 저항을 멀
|
|
|
측정하고자 할 때는
전류계를 회로와 직렬로 연결해주어야 한다. 기초 이론
1. 전류계
2. 전압계
3. Power supply
4. 멀티미터
5. 함수발생기
6. 오실로스코프
7. 저항 읽는 법
8. 커패시터 읽는 법
9. 인덕터 읽는 법
10 빵판(Bread board)
실험
|
|
|
회로를 흐르고 있는 전류의 변화에 의해 전자기유도로 생기는 역(逆)기전력의 비율을 나타내는 양.
C는 콘덴서(용량기 커페시터(capacitance))라고 한다. 단위는 ㎌(마이크로 페럿)이다.
콘덴서는 전류를 충전했다가 방전하는 역할을 한다.(콘덴서
|
|
|
실험에서 저항에 대한 전압 값을 구할 때 약간의 오차가 발생 하였다. 오차가 발생한 원인으로는 저항이 값이 정확하지 않고 오차를 포함하고 있기 때문에 오차가 발생하였는데 측정값과 Vrms(=) 비교하였을 때를 말한다. 따라서 오차는 크지
|
|
|
실험종료 후 열전대의 기전력-온도 표에서 이 기전력에 해당하는 온도를 읽어 정리한다.
4. RTD의 저항을 측정하기 위하여 multimeter의 두 단자를 그 림2의 B와D에 연결하고, 가변 저항 dial을 조금씩 돌려 multimeter의 전압 지시가 0이 되도록 하고 이
|
|
|
많은 전자사태가 일어나기 때문에 불감시간도 더 길고, GM 서베이메타의 크기도 저방사선장보다는 커야 할 것이다. 1. 실험 방법 및 과정
◎ 실험 준비물
◎ 실험 방법
◎ 주의사항
2. 실험결과
3. 결과분석 및 토의
4. 검토할 사항
|
|
|
실험에 대한 예상 결과와 이를 활용한 응용 방법에 대해 선행 연구를 통해 참고 자료를 찾는 것이 중요하다. 이러한 준비 단계들이 철저히 이행될 때, 실험이 보다 원활하게 진행될 수 있으며, MOSFET의 전류 측정을 통해 전자 회로에 대한 깊은
|
|
|
실험의 수행 과정을 블록 다이아그램(block diagram)으로 작성하시오.
먼저 오실로스코우프를 영점조절하여 전압을 측정할 수 있도록 한다. (영점 조절방법은 오실로스코우프 실험을 참조할 것)
RLC 회로상자 내에는 R1(100), R2(150), R3(200)과 같은 세
|
|
|
읽는 방법종류
-숫자에 의한 표시 방법 : 3자리의 숫자에서 앞의 두 자리는 값을
나타내고 뒤의 한 자리는 승수를 나타낸다. 또한 알파벳은 허용오차를
나타낸다. 【실험을 위한 기초이론】
【실험결과】
【검토 및 고찰풀이】
|
|
메뉴펼치기
